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            當前位置：首頁 » 全站搜索 » 搜索： igbt技術(shù)
        
        
        
            
        
                
        
                    
                    
                            
        
                                
        [常見問題解答]詳解IGBT組件：它的輸出信號到底是交流還是直流？[
                                        2024-09-21 10:39
                                        ]
        
                                
        
                                    絕緣柵雙極晶體管（IGBT）技術(shù)作為電力電子轉(zhuǎn)換中的關(guān)鍵組件，其作用至關(guān)重要。了解IGBT的輸出信號類型對于電子和電氣工程師來說非常關(guān)鍵，這直接影響了其在復(fù)雜電力系統(tǒng)中的應(yīng)用和性能。本文深入探討IGBT的工作原理和輸出特性，通過具體示例增強對其功能的理解。一、IGBT技術(shù)概述IGBT結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低飽和電壓優(yōu)勢，是一種高效的開關(guān)器件。在電力電子系統(tǒng)中，無論是可再生能源系統(tǒng)、電動車驅(qū)動還是高效電源管理，IGBT都能提供高效的電流控制解決方案。二、IGBT的輸出特性IGBT本身不生成電流或電壓
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/xjigbtzjtd_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]IGBT激光退火技術(shù)解析[
                                        2023-06-08 17:47
                                        ]
        
                                
        
                                    IGBT激光退火技術(shù)解析激光退火是絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)背面工藝的重要步驟。對離子注入后的硅基IGBT 圓片背面進行激光快速退火，實現(xiàn)激活深度，有效修復(fù)離子注入破壞的晶格結(jié)構(gòu)。隨著IGBT技術(shù)發(fā)展和薄片加工工藝研發(fā)的需要，IGBT背面退火越來越多應(yīng)用激光退火技術(shù)。1.IGBT退火技術(shù)在垂直方向上，IGBT結(jié)構(gòu)經(jīng)歷了穿通型（pouch through，PT），非穿通型（non pouch through，NPT）和電場截止型（field stop，F(xiàn)S），使器件的整體性能不斷提高。圖 IGBT結(jié)構(gòu)的變化在NP
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/igbtjgthjs_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]IGBT,MOSFET以及三極管的區(qū)別[
                                        2021-03-01 11:41
                                        ]
        
                                
        
                                    IGBT,MOSFET以及三極管的區(qū)別mos管、igbt、三極管比較，mos開關(guān)速度最快，三極管最慢，而igbt內(nèi)部是靠mos管先開通驅(qū)動三極管開通（這個原理決定了它的開關(guān)速度比mos慢，比三極管快,和幾代技術(shù)無關(guān)）。mos管的最大劣勢是隨著耐壓升高，內(nèi)阻迅速增大（不是線性增大），所以高壓下內(nèi)阻很大，不能做大功率應(yīng)用。隨著技術(shù)發(fā)展,無論mos管還是igbt管，它們的各種參數(shù)仍在優(yōu)化。目前igbt技術(shù)主要是歐美和日本壟斷，國內(nèi)最近2年也幾個公司研究工藝，但目前都不算成熟，所以igbt基本都是進口。igbt的制造成本比
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/igbtmosfet_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]二極管模塊技術(shù)選型知識介紹[
                                        2020-10-12 15:54
                                        ]
        
                                
        
                                    二極管模塊技術(shù)選型知識介紹二極管模塊技術(shù)選型鑄造輝煌,IGBT硅片的結(jié)構(gòu)與功率MOSFET的結(jié)構(gòu)分相似，主要差異是IGBT增加了P+基片和一個N+緩沖層(NPT-非穿通-IGBT技術(shù)沒有增加這個部分。如等效電路圖所示(圖，其中一個MOSFET驅(qū)動兩個雙極器件。基片的應(yīng)用在管體的P+和N+區(qū)之間創(chuàng)建了一個J1結(jié)。當正柵偏壓使柵極下面反演P基區(qū)時，一個N溝道形成，同時出現(xiàn)一個電子流，并完全按照功率MOSFET的方式產(chǎn)生一股電流。如果這個電子流產(chǎn)生的電壓在范圍內(nèi)，那么，J1將處于正向偏壓，一些空注入N-區(qū)內(nèi)，并調(diào)整陰陽極
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/ejgmkjsxxz_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
                地 址/Address
        
            
        
                工廠地址：安徽省六安市金寨產(chǎn)業(yè)園區(qū)
                
        
                深圳辦事處地址：深圳市福田區(qū)寶華大廈A1428
        
                中山辦事處地址：中山市古鎮(zhèn)長安燈飾配件城C棟11卡
        
                杭州辦事處：杭州市西湖區(qū)文三西路118號杭州電子商務(wù)大廈6層B座
        
                電話：13534146615
                企業(yè)QQ：2881579535
            
        
        
        
        
        
            
        
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