IGBT激光退火技術(shù)解析

激光退火是絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)背面工藝的重要步驟。對(duì)離子注入后的硅基IGBT 圓片背面進(jìn)行激光快速退火，實(shí)現(xiàn)激活深度，有效修復(fù)離子注入破壞的晶格結(jié)構(gòu)。隨著IGBT技術(shù)發(fā)展和薄片加工工藝研發(fā)的需要，IGBT背面退火越來越多應(yīng)用激光退火技術(shù)。

1.IGBT退火技術(shù)

在垂直方向上，IGBT結(jié)構(gòu)經(jīng)歷了穿通型（pouch through，PT），非穿通型（non pouch through，NPT）和電場(chǎng)截止型（field stop，F(xiàn)S），使器件的整體性能不斷提高。

圖 IGBT結(jié)構(gòu)的變化

在NPT和FS型IGBT中，常見的工藝流程是先完成正面工藝包括正面金屬化工藝，再進(jìn)行硅片背面減薄，達(dá)到需要的硅片厚度，之后通過離子注入和退火工藝在背面形成P+區(qū)域（NPT IGBT的集電區(qū)）或同時(shí)形成FS IGBT的P型區(qū)（集電區(qū)）和n型場(chǎng)截止層或緩沖層。

圖 IGBT 工藝流程

由于硅片正面金屬鋁的存在，此處的退火工藝必須保證硅片正面溫度要小于500℃，因此用爐管工藝來激活時(shí)溫度必須低于500℃（一般選擇400-450℃）。但在這一溫度范圍內(nèi)，注入離子的激活率很低，對(duì)器件的性能調(diào)整造成影響。

激光退火由于能夠?qū)杵趁孢M(jìn)行局域加熱，在硅片背面局部形成極高溫，大幅提高背面注入離子的激活率，同時(shí)保持硅片正面在較低溫度。

2.激光退火技術(shù)

20世紀(jì)60年代后期和20世紀(jì)70年代初期偶爾出現(xiàn)過關(guān)于激光退火的報(bào)道，但是激光退火直到1971年才被發(fā)明出來。為了保證不損傷正面的器件結(jié)構(gòu)，并保證背面的激活效果，從IGBT第四代之后，逐步采用激光退火技術(shù)取代傳統(tǒng)熱退火技術(shù)。

激光退火的原理是用激光束照射半導(dǎo)體表面，在照射區(qū)內(nèi)產(chǎn)生極高的溫度，使晶體的損傷得到修復(fù)，并消除位錯(cuò)的方法。它能有效地消除離子注入所產(chǎn)生的晶格缺陷，同時(shí)由于加熱時(shí)間極短（約為普通熱退火的百萬分之一），可避免破壞集成電路的淺結(jié)電導(dǎo)率和其他結(jié)特性。

圖 激光退火波長(zhǎng)與深度的關(guān)系示意圖

激光退火工藝可以有效修復(fù)離子注入破壞的晶格結(jié)構(gòu)，獲得比傳統(tǒng)退火方式更好的離子激活效率和激活深度，且不損傷硅片的正面器件，從而在IGBT制造過程中得到業(yè)界的廣泛關(guān)注和應(yīng)用。

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