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[常見問題解答]MOS管保護(hù)電路實(shí)測(cè)以及保護(hù)電路解析[ 2020-12-17 15:06 ]: MOS管保護(hù)電路實(shí)測(cè)以及保護(hù)電路解析MOS管保護(hù)電路實(shí)測(cè)，分析功率MOS管自身擁有眾多優(yōu)點(diǎn)，但是MOS管具有較脆弱的承受短時(shí)過載能力，特別是在高頻的應(yīng)用場(chǎng)合，所以在應(yīng)用功率MOS管對(duì)必須為其設(shè)計(jì)合理的保護(hù)電路來提高器件的可靠性。功率MOS管保護(hù)電路主要有以下幾個(gè)方面：1.防止柵極 di/dt過高：MOS管保護(hù)電路實(shí)測(cè)，分析：由于采用驅(qū)動(dòng)芯片，其輸出阻抗較低，直接驅(qū)動(dòng)功率管會(huì)引起驅(qū)動(dòng)的功率管快速的開通和關(guān)斷，有可能造成功率管漏源極間的電壓震蕩，或者有可能造成功率管遭受過高的di/dt而引起誤導(dǎo)通。為避免上述現(xiàn)象的發(fā)生; http://m.kannic.com/Article/mosgbhdlsc_1.html

[常見問題解答]MOS管保護(hù)電路|MOSFET柵源保護(hù)知識(shí)普及[ 2020-12-17 14:45 ]: MOS管保護(hù)電路|MOSFET柵源保護(hù)知識(shí)普及MOSFET柵源保護(hù)知識(shí)MOSFET柵源保護(hù)：功率MOS管自身擁有眾多優(yōu)點(diǎn)，但是MOS管具有較脆弱的承受短時(shí)過載能力，特別是在高頻的應(yīng)用場(chǎng)合，所以在應(yīng)用功率MOS管對(duì)必須為其設(shè)計(jì)合理的保護(hù)電路來提高器件的可靠性。MOSFET柵源保護(hù)-功率MOS管保護(hù)電路主要有以下幾個(gè)方面：1.防止柵極 di/dt 過高由于采用驅(qū)動(dòng)芯片，其輸出阻抗較低，直接驅(qū)動(dòng)功率管會(huì)引起驅(qū)動(dòng)的功率管快速的開通和關(guān)斷，有可能造成功率管漏源極間的電壓震蕩，或者有可能造成功率管遭受過高的 di/dt 而引起; http://m.kannic.com/Article/mosgbhdlmo_1.html

[常見問題解答]MOS過壓保護(hù)電路以及電池MOS管保護(hù)電路[ 2020-12-05 16:50 ]: MOS過壓保護(hù)電路以及電池MOS管保護(hù)電路MOS管防反接防過壓電路NMOS管防反接電路如上圖MOS過壓保護(hù)電路，當(dāng)電源正確接入時(shí)。電流的流向是從Vin到負(fù)載，在通過NMOS到GND。剛上電時(shí)因?yàn)镹MOS管的體二極管存在，地回路通過體二極管接通，后續(xù)因?yàn)閂gs大于Vgsth門限電壓，MOS管導(dǎo)通。當(dāng)電源接反時(shí)，體二極管不通，并且Vgs的電壓也不會(huì)符合要求，所有NMOS管不通，電路中沒有電流回路，斷路，負(fù)載不工作，也不會(huì)燒壞，實(shí)現(xiàn)了保護(hù)。需要提起的是，當(dāng)電源正常接入時(shí)，電路中的電流是從S到D。與常規(guī)NMOS管使用的電流; http://m.kannic.com/Article/mosgybhdly_1.html

[常見問題解答]MOS管保護(hù)措施技術(shù)詳情解析[ 2020-11-16 16:24 ]: MOS管保護(hù)措施技術(shù)詳情解析MOS管保護(hù)措施：功率MOS管的SOA曲線雖然功率MOS管有諸多優(yōu)點(diǎn),但在電路設(shè)計(jì)過程中,功率MOS管往往是最容易損壞的元件,要想安全可靠的使用好功率MOS管并不容易,因此功率MOS管的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)問題是功率器件設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。圖1為功率MOS管的安全工作區(qū)(SOA)曲線,晶體管的擊穿電壓決定了其最大的漏源電壓VDS ,電遷移限制確定了晶體管的最大漏極電流ID。芯片的最高工作溫度與散熱共同決定了最大的穩(wěn)態(tài)功PD。圖中虛線表示的是SOA邊界,實(shí)線顯示了縮小的SOA區(qū)域,為該器件的實(shí)際情況。從圖中; http://m.kannic.com/Article/mosgbhcsjs_1.html

[常見問題解答]MOS管保護(hù)電路知識(shí)-MOS管自鎖保護(hù)電路功能的制作方法介紹[ 2020-06-26 16:29 ]: MOS管保護(hù)電路知識(shí)-MOS管自鎖保護(hù)電路功能的制作方法介紹本實(shí)用新型屬于電路保護(hù)技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種保護(hù)電路，具體是一種自鎖保護(hù)電路。背景技術(shù)隨著電子技術(shù)的發(fā)展，電子器件應(yīng)用于各行各業(yè)，面對(duì)各種嚴(yán)酷的工作環(huán)境，對(duì)電路的保護(hù)尤為重要。如果電子器件在工作中出現(xiàn)問題，而沒有保護(hù)電路工作，就會(huì)造成電子器件壽命安全性降低，或直接損壞燒毀，造成難以估計(jì)的損失。因而為了保證電子器件的安全性和可靠性，一種有效的保護(hù)電路是非常重要的。由于各種復(fù)雜的使用環(huán)境，電子器件在使用過程中難免會(huì)碰到嚴(yán)酷的超過器件本身額定的工作條件，或是人為操作; http://m.kannic.com/Article/mosgbhdlzs_1.html

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