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        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管常見(jiàn)故障及其解決方案解析[ 2024-12-05 10:55 ]
        MOS管(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)廣泛應(yīng)用于高效電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、信號(hào)放大等各個(gè)領(lǐng)域。然而,在其運(yùn)行過(guò)程中,可能會(huì)出現(xiàn)各種常見(jiàn)的錯(cuò)誤,這不僅會(huì)影響電路的性能,還會(huì)導(dǎo)致器件發(fā)生故障。為了確保電路穩(wěn)定性并提高系統(tǒng)可靠性,了解這些錯(cuò)誤的原因并找到有效的解決方案非常重要。一、MOS管過(guò)熱故障過(guò)熱是MOS管最常見(jiàn)的故障之一,部分電能因內(nèi)阻而轉(zhuǎn)化為熱量。如果散熱做得不好,過(guò)高的溫度會(huì)降低MOS管的性能,甚至損壞MOS管。不僅降低開(kāi)關(guān)速度,還會(huì)引起熱失控,導(dǎo)致MOS管失效。解決方案:1. 選擇低導(dǎo)通電阻:選擇導(dǎo)通電阻(Rds(on))較
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        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管過(guò)充困擾?開(kāi)關(guān)電源切載時(shí)的實(shí)用處理技巧![ 2024-10-17 14:34 ]
        MOS管在開(kāi)關(guān)電源中的重要性不容忽視,控制功率轉(zhuǎn)換的核心部件。當(dāng)MOS管出現(xiàn)故障時(shí),不僅影響電源的正常工作,特別是過(guò)充時(shí),解決MOS管的過(guò)充問(wèn)題成為開(kāi)關(guān)電源研發(fā)和故障排除的重要組成部分。本文詳細(xì)講解了開(kāi)關(guān)電源減載中MOS管過(guò)充的原因。一、什么是MOS管過(guò)載?在開(kāi)關(guān)電源中,MOS管起到開(kāi)關(guān)的作用,控制電源的通斷和電能的轉(zhuǎn)換。MOS管過(guò)充一般發(fā)生在開(kāi)關(guān)電源快速開(kāi)關(guān)時(shí)。當(dāng)電壓尖峰超過(guò)MOS的耐壓值時(shí),會(huì)出現(xiàn)短暫的電壓尖峰或過(guò)沖,一般只持續(xù)1~2秒。這會(huì)導(dǎo)致MOS管失效并損壞電源和其他關(guān)鍵部件。二、MOS管過(guò)充的原因MOS
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        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管失效的背后:常見(jiàn)故障及其根源分析[ 2024-04-09 09:57 ]
        MOS管,它究竟是什么?具備怎樣的特性?在控制器電路中,MOS管存在多個(gè)工作狀態(tài),而MOS主要的損耗與這些狀態(tài)息息相關(guān)。MOS的工作狀態(tài)主要包括:開(kāi)啟狀態(tài)(由截至到導(dǎo)通的過(guò)渡過(guò)程)、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)閉狀態(tài)(由導(dǎo)通到截至的過(guò)渡過(guò)程)、截至狀態(tài)。MOS主要的損耗包括:開(kāi)關(guān)損耗(開(kāi)啟狀態(tài)和關(guān)閉狀態(tài))、導(dǎo)通損耗、截至損耗(由漏電流引起的,這部分損耗一般忽略不計(jì)),還有雪崩能量損耗。只要這些損耗控制在MOS承受規(guī)格范圍內(nèi),MOS就能夠正常運(yùn)行;一旦超出范圍,MOS就會(huì)遭受損壞。值得一提的是,開(kāi)關(guān)損耗往往大于導(dǎo)通狀態(tài)損耗,不同類(lèi)型
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        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管失效原因和預(yù)防措施分析匯總[ 2020-10-23 17:00 ]
        MOS管失效原因和預(yù)防措施分析匯總六個(gè)可能讓MOS管失效原因分析目前在市場(chǎng)應(yīng)用方面,排名第一的是消費(fèi)類(lèi)電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應(yīng)用領(lǐng)域排名第二的是計(jì)算機(jī)主板、NB、計(jì)算機(jī)類(lèi)適配器、LCD顯示器等產(chǎn)品,隨著國(guó)情的發(fā)展計(jì)算機(jī)主板、計(jì)算機(jī)類(lèi)適配器、LCD顯示器對(duì)MOS管的需求有要超過(guò)消費(fèi)類(lèi)電子電源適配器的現(xiàn)象了。第三的就屬網(wǎng)絡(luò)通信、工業(yè)控制、汽車(chē)電子以及電力設(shè)備領(lǐng)域了,這些產(chǎn)品對(duì)于MOS管的需求也是很大的,特別是現(xiàn)在汽車(chē)電子對(duì)于MOS管的需求直追消費(fèi)類(lèi)電子了。下面對(duì)MOS失效原因總結(jié)以下六點(diǎn),然后對(duì)1,2重點(diǎn)進(jìn)行
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        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]mos管失效模式分析-MOS管失效的幾大原因總結(jié)與詳解[ 2020-03-13 12:24 ]
        mos管失效模式分析-MOS管失效的幾大原因總結(jié)與詳解mos管失效模式分析-MOS管失效的幾大原因總結(jié)MOS管失效的原因如下:1:雪崩失效(電壓失效),也就是我們常說(shuō)的漏源間的BVdss電壓超過(guò)MOSFET的額定電壓,并且超過(guò)達(dá)到了一定的能力從而導(dǎo)致MOSFET失效。2:SOA失效(電流失效),既超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效,分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過(guò)大,損耗過(guò)高器件長(zhǎng)時(shí)間熱積累而導(dǎo)致的失效。3:體二極管失效:在橋式、LLC等有用到體二極管進(jìn)行續(xù)流的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中,由于體二極管遭受破壞而導(dǎo)致的失效。4:諧
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        [常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管失效的六大原因[ 2019-12-05 10:35 ]
        MOS管失效的六大原因MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱(chēng)的。目前在市場(chǎng)應(yīng)用方面,排名第一的是消費(fèi)類(lèi)電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應(yīng)用領(lǐng)域排名第二的是計(jì)算機(jī)主板、NB、
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        地 址/Address

        工廠地址:安徽省六安市金寨產(chǎn)業(yè)園區(qū)
        深圳辦事處地址:深圳市福田區(qū)寶華大廈A1428
        中山辦事處地址:中山市古鎮(zhèn)長(zhǎng)安燈飾配件城C棟11卡
        杭州辦事處:杭州市西湖區(qū)文三西路118號(hào)杭州電子商務(wù)大廈6層B座
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