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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]L5972D降壓穩(wěn)壓器技術(shù)規(guī)格與應(yīng)用場(chǎng)景詳解[ 2025-04-15 15:42 ]: L5972D是一款高效的降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，廣泛應(yīng)用于需要穩(wěn)定電壓的各種電力系統(tǒng)中。作為一款集成度高的電源管理芯片，L5972D能夠提供穩(wěn)定的輸出電壓，適用于多種電子設(shè)備和工業(yè)應(yīng)用。一、技術(shù)規(guī)格L5972D的核心功能是降壓穩(wěn)壓，它采用內(nèi)置P溝道D-MOS晶體管作為開(kāi)關(guān)元件，典型的Rdson值為250mΩ。此設(shè)計(jì)不僅減少了外部元件的體積，還提升了效率，使得L5972D在各種復(fù)雜環(huán)境下都能夠提供高效穩(wěn)定的電流。1. 輸入電壓范圍L5972D支持寬廣的輸入電壓范圍，從4.4V到36V，這使得它在不同的電源系統(tǒng)中具有較高的兼; http://m.kannic.com/Article/l5972djywy_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]開(kāi)關(guān)電源的Boost電路圖文解析[ 2024-01-18 18:48 ]: 開(kāi)關(guān)電源的Boost電路圖文解析1 、Boost電路原理開(kāi)關(guān)電源Boost電路是一種升壓型DC-DC轉(zhuǎn)換電路，其輸出電壓高于輸入電壓。Boost電路拓?fù)鋱D如下圖所示，該電路由開(kāi)關(guān)管Q、電感L、輸出濾波電容C、二極管D和負(fù)載R組成。其中開(kāi)關(guān)管通常由PWM波驅(qū)動(dòng)導(dǎo)通和關(guān)閉，控制電感儲(chǔ)能、釋放能量，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)升壓。Boost電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖開(kāi)關(guān)管Q導(dǎo)通時(shí)，導(dǎo)通電阻RdsON很小，相當(dāng)于短路，此時(shí)，二極管左側(cè)短路到地，右側(cè)電容電壓不能突變，因此二極管處于處于截止?fàn)顟B(tài)。輸入電源Vin給電感L充電，電感儲(chǔ)能，因?yàn)殡姼袃啥穗娏鞑荒芡?/dd>; http://m.kannic.com/Article/kgdydboost_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]場(chǎng)效應(yīng)MOS管電源開(kāi)關(guān)電路的缺點(diǎn)介紹[ 2023-11-24 18:13 ]: 場(chǎng)效應(yīng)管MOS管電源開(kāi)關(guān)電路的缺點(diǎn)介紹MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低，開(kāi)關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開(kāi)關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管，其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。一般的電源開(kāi)關(guān)電路，控制電源的目的是省電，控制靜態(tài)電流。不過(guò)以下的電路存在著幾個(gè)缺點(diǎn)：1.管壓降較大我們知道采用PNP管子作為開(kāi)關(guān)管的飽和壓降在0～0.3V，這在低電路上是不可接受的。3.3V的控制電源最大誤差變成3V，某些1.5V的電源變成1.2V，這會(huì)導(dǎo)致由此供電的芯片損壞。PMOS的管子壓降為Vdrop=Id×Rdson，Rdson可選擇，實(shí)際的值在; http://m.kannic.com/Article/cxymosgdyk_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]電路設(shè)計(jì)，電源開(kāi)關(guān)MOS管電路分析[ 2023-10-12 18:09 ]: 電路設(shè)計(jì)，電源開(kāi)關(guān)MOS管電路分析MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低，開(kāi)關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開(kāi)關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管，其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。一般的電源開(kāi)關(guān)電路，控制電源的目的是省電，控制靜態(tài)電流。不過(guò)以下的電路存在著幾個(gè)缺點(diǎn)：1.管壓降較大我們知道采用PNP管子作為開(kāi)關(guān)管的飽和壓降在0～0.3V，這在低電路上是不可接受的。3.3V的控制電源最大誤差變成3V，某些1.5V的電源變成1.2V，這會(huì)導(dǎo)致由此供電的芯片損壞。PMOS的管子壓降為Vdrop=Id×Rdson，Rdson可選擇，實(shí)際的值在1歐; http://m.kannic.com/Article/dlsjdykgmo_1.html

[行業(yè)資訊]SSF5NS70D場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)中文資料現(xiàn)貨替代廠家直營(yíng) - 壹芯微[ 2021-09-30 11:24 ]: SSF5NS70D場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)中文資料現(xiàn)貨替代廠家直營(yíng) - 壹芯微型號(hào)：SSF5NS70D 極性：N溝道；電壓：700V 電流：5A；封裝：TO-252 促銷(xiāo)價(jià)格/免費(fèi)樣品/選型替代/原廠直銷(xiāo)SSF5NS70D參數(shù)中文資料,SSF5NS70D封裝管腳引腳圖,SSF5NS70D規(guī)格書(shū):查看下載SSF5N50D的概述：SSF5NS70G/D/F系列MOSFET是一項(xiàng)新技術(shù)，結(jié)合了創(chuàng)新技術(shù)和推進(jìn)過(guò)程。這項(xiàng)新技術(shù)實(shí)現(xiàn)了低Rdson、節(jié)能、高可靠性和均勻性、卓越的功率密度和節(jié)省空間。SSF5N50D的特性：高; http://m.kannic.com/Article/ssf5ns70dc_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]多個(gè)場(chǎng)效應(yīng)MOS管的并聯(lián)應(yīng)用研究解析-壹芯微[ 2021-08-04 12:08 ]: 多個(gè)場(chǎng)效應(yīng)MOS管的并聯(lián)應(yīng)用研究解析-壹芯微1. MOS管并聯(lián)的可行性分析由下面的某顆MOS管的溫度曲線可以看出MOS管的內(nèi)阻的溫度特性是隨溫度的升高內(nèi)阻也增大，如果在并聯(lián)過(guò)程中由于某種原因（比如RDSON比較低，電流路徑比較短等）導(dǎo)致某顆MOS管的電流比較大，這顆MOS管會(huì)發(fā)熱比較嚴(yán)重，內(nèi)阻會(huì)升高比較多，電流就會(huì)降下來(lái)，由此可以分析出MOS管有自動(dòng)均流的特性而易于并聯(lián)。2. MOS管的并聯(lián)電路理論上MOS管可以由N顆并聯(lián)，實(shí)際上MOS管并聯(lián)多了容易引起走線很長(zhǎng)，分布電感電容加大，對(duì)于高頻電路工作產(chǎn)生不利的影響。下; http://m.kannic.com/Article/dgcxymosgd_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]內(nèi)置肖特基二極管的MOSFET能不能提高應(yīng)用性能[ 2019-11-29 14:54 ]: 當(dāng)一個(gè)功率MOSFET被用在電橋拓?fù)浠蛴米麟娫炊蝹?cè)同步整流時(shí)，體漏二極管的特性及質(zhì)量因子將變得非常重要。當(dāng)需要Qrr數(shù)值很低的軟反向恢復(fù)時(shí)，集成肖特基二極管的新60V“F7”功率MOSFET確保能效和換向性能更加出色。在同步整流和電橋結(jié)構(gòu)中，RDSon和Qg兩個(gè)參數(shù)并不是對(duì)功率MOSFET的唯一要求，實(shí)際上，本征體漏二極管的動(dòng)態(tài)特性對(duì)MOSFET整體性能影響很大。體漏二極管的正向壓降(VF,diode)影響開(kāi)關(guān)在續(xù)流期間(開(kāi)關(guān)處于關(guān)斷狀態(tài)，電流從源極經(jīng)本征二極管流至漏極)的功率損耗；反向恢; http://m.kannic.com/Article/nzxtjejgdm_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]酷MOS管-超結(jié)MOS管選型與作用[ 2019-09-04 14:43 ]: 一、酷MOS管選型1、一般我們選擇一顆MOS 大致看以下幾個(gè)參數(shù) BV Id Rds Vth Qg Pd等。但是這幾個(gè)參數(shù)，只有Qg和Id是交流參數(shù)，其他都是靜態(tài)參數(shù)。而半導(dǎo)體這東西就是隨溫升變壞的。那動(dòng)態(tài)參數(shù)，其實(shí)是變壞的。25度的電流是100A，也許125度的時(shí)候，電流只有50A，所以選型的時(shí)候要以高溫下(老化房)的數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。那選好了電壓、電流，剩下就是看Coolmos的損耗了。Coolmos露在表面的是Rdson 較低，只有平面管的1/3或者1/4，那MOS的導(dǎo)通損耗必然較之平面管要低不少。MOS的另外一個(gè)損; http://m.kannic.com/Article/kmosgcjmos_1.html

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