SSF5NS70D場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)中文資料 現(xiàn)貨替代 廠家直營(yíng) - 壹芯微

型號(hào)：SSF5NS70D 極性：N溝道；電壓：700V 電流：5A；封裝：TO-252 促銷(xiāo)價(jià)格/免費(fèi)樣品/選型替代/原廠直銷(xiāo)

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SSF5N50D的概述：

SSF5NS70G/D/F系列MOSFET是一項(xiàng)新技術(shù)，結(jié)合了創(chuàng)新技術(shù)和推進(jìn)過(guò)程。 這項(xiàng)新技術(shù)實(shí)現(xiàn)了低Rdson、節(jié)能、高可靠性和均勻性、卓越的功率密度和節(jié)省空間。

SSF5N50D的特性：

高dv/dt和雪崩能力

100%雪崩測(cè)試

低輸入電容和柵極電荷

低柵極輸入電阻

SSF5N50D的絕對(duì)最大額定值（TC = 25°C，除非另有說(shuō)明）：

I_D@TC=25°C,ContinuousDrainCurrent持續(xù)漏極電流,VGS@10V：5①A

I_D@TC=100°C,ContinuousDrainCurrent持續(xù)漏極電流,VGS@10V：3.1①A

I_DM,PulsedDrainCurrent脈沖漏極電流②：15A

P_D,@TC=25°C,PowerDissipation功耗③

TO-251/TO-252,Package封裝：50W

TO-220F,Package封裝：31.2W

P_D@TC=25°C,CLinearDeratingFactor線性降額因數(shù)

對(duì)于TO-251/TO-252,Package封裝：0.4W/°C

對(duì)于TO-220F,Package封裝：0.25W/°C

V_DS,Drain-SourceVoltage漏源電壓：700V

V_GS,Gate-to-SourceVoltage柵源電壓：±30V

E_AS,SinglePulseAvalancheEnergy單脈沖雪崩能量@L=22.4mH：54mJ

I_AR,AvalancheCurrent雪崩電流@L=22.4mH：2.2A

T_J,T_STG,OperatingJunctionandStorageTemperatureRange工作結(jié)點(diǎn)和存儲(chǔ)溫度范圍：-55to+150°C

壹芯微SSF5NS70D規(guī)格書(shū)下還有熱特性，靜態(tài)特性與電氣參數(shù)等，建議自行閱讀觀看。

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