SSF5N50D場效應(yīng)管,SSF5N50D參數(shù)中文資料 - 壹芯微

型號：SSF5N50D 極性：N溝道；電壓：500V 電流：5A；封裝：TO-252 促銷價格/免費樣品/選型替代/原廠直銷

SSF5N50D參數(shù)中文資料,SSF5N50D封裝管腳引腳圖,SSF5N50D規(guī)格書:查看下載

SSF5N50D的概述：

SSF5N50D它利用最新的處理技術(shù)來實現(xiàn)高細胞密度并減少高重復(fù)雪崩等級。 這些功能相結(jié)合，使這種設(shè)計非常用于電源開關(guān)應(yīng)用和各種其他應(yīng)用的設(shè)備。

SSF5N50D的特性：

先進的MOSFET工藝技術(shù)

專為PWM、負載開關(guān)和

通用應(yīng)用

超低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷

快速切換和反向體恢復(fù)

150℃工作溫度

SSF5N50D的絕對最大額定值（TC = 25°C，除非另有說明）：

I_D@TC=25°C,ContinuousDrainCurrent持續(xù)漏極電流,V_GS@10V①：5A

I_D@TC=100°C,ContinuousDrainCurrent持續(xù)漏極電流,V_GS@10V①：3.1A

I_DM,PulsedDrainCurrent脈沖漏極電流②：17A

P_D@TC=25°C,PowerDissipation功耗③：104W

P_D@TC=25°C,LinearDeratingFactor線性降額系數(shù)：0.83W/°C

V_DS,Drain-SourceVoltage漏源電壓：500V

V_GS,Gate-to-SourceVoltage柵源電壓：±30V

E_AS,SinglePulseAvalancheEnergy單脈沖雪崩能量@L=60mH：307mJ

I_AS,AvalancheCurrent雪崩電流@L=60mH：3.2A

T_J,T_STG,OperatingJunctionandStorageTemperatureRange工作結(jié)點和存儲溫度范圍：-55to+150°C

壹芯微SSF5N50D規(guī)格書下還有熱特性，靜態(tài)特性與電氣參數(shù)等，建議自行閱讀觀看。

壹芯微致力于半導(dǎo)體器件、集成電路、功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，至今已有20年半導(dǎo)體行業(yè)研發(fā)、制造經(jīng)驗。目前壹芯微產(chǎn)品已經(jīng)在便攜性設(shè)備、電動車、LED照明、家電、鋰電保護、電機控制器等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用，幫助合作伙伴解決符合國情、符合國際質(zhì)量的國內(nèi)優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品。除提供免費試樣外，更可根據(jù)客戶需求進行量身定制二三極管MOS管產(chǎn)品。直接百度搜索“壹芯微”即可找到我們，免費試樣熱線：13534146615(微信同號) QQ：2881579535 或請咨詢官網(wǎng)在線客服。