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        CJU01N80 TO252 N溝道 高壓800V 1A - 場(chǎng)效應(yīng)MOS管 - 壹芯微

        返回列表來(lái)源:壹芯微 發(fā)布日期 2021-09-29 瀏覽:-

        CJU01N80 TO252 N溝道 高壓800V 1A - 場(chǎng)效應(yīng)MOS管 - 壹芯微

        CJU01N80

        型號(hào):CJU01N80 極性:N溝道;電壓:800V 電流:1A;封裝:TO-252 促銷價(jià)格/免費(fèi)樣品/選型替代/原廠直銷

        CJU01N80參數(shù)中文資料,CJU01N80封裝管腳引腳圖,CJU01N80規(guī)格書:查看下載

        CJU01N80

        CJU01N80的概述:

        CJU01N80是N溝道模式功率MOSFET,使用為客戶提供平面條紋的先進(jìn)技術(shù)。 該技術(shù)專注于實(shí)現(xiàn)最小的通態(tài)電阻和卓越的開(kāi)關(guān)性能。 它還可以承受雪崩和換向模式下的高能量脈沖。 CJU01N80廣泛應(yīng)用于高效開(kāi)關(guān)電源。

        CJU01N80的特性:

        優(yōu)秀的封裝,良好的散熱

        高切換速度

        100%雪崩測(cè)試

        CJU01N80的應(yīng)用:

        電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用

        DC/DC轉(zhuǎn)換器

        CJU01N80

        CJU01N80絕對(duì)最大額定值(TC = 25°C,除非另有說(shuō)明):

        Drain-SourceVoltage漏源電壓,VDS800V

        Gate-SourceVoltage柵源電壓,VGS±30V

        ContinuousDrainCurrent持續(xù)漏極電流,ID1A

        PulsedDrainCurrent脈沖漏極電流,IDM4A

        SinglePulsedAvalancheEnergy單脈沖雪崩能量(注1),EAS90mJ

        ThermalResistanceFromJunctionToAmbient從結(jié)到環(huán)境的熱阻,RθJA100℃/W

        JunctionTemperature結(jié)溫,TJ150℃

        StorageTemperatureRange儲(chǔ)存溫度范圍,TSTG-55~+150℃

        MaximumIeadTemperureForSolderingPurposes用于焊接目的的最高引線溫度

        1/8”FromCaseFor5Seconds1/8”離機(jī)箱5秒,TL260℃

        CJU01N80

        壹芯微CJU01N80規(guī)格書下還有熱特性,靜態(tài)特性與電氣參數(shù)等,建議自行閱讀觀看。


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