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[常見問題解答]650V與1,200V SiC肖特基勢(shì)壘二極管SCS2xxAN與SCS2xxKN的應(yīng)用場(chǎng)景[ 2024-12-23 12:00 ]

硅碳化合物（SiC）肖特基勢(shì)壘二極管因其優(yōu)異的高效率和耐壓性能而廣泛應(yīng)用于電力電子行業(yè)。SCS2xxAN（650V）和SCS2xxKN（1,200V）是兩種具有代表性的應(yīng)用場(chǎng)景，展現(xiàn)出獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和可靠性，滿足現(xiàn)代高效電子元件設(shè)備的高要求。一、光伏逆變器光伏發(fā)電系統(tǒng)需要高效率、低損耗的逆變器將直流電轉(zhuǎn)換為交流電，SCS2xxAN提供650V電壓，具有中等介電強(qiáng)度和低開關(guān)損耗，非常適合在太陽能發(fā)電中使用。SCS2xxKN耐壓高達(dá)1200V，滿足大功率光伏系統(tǒng)要求，有效降低功率開關(guān)損耗，提高轉(zhuǎn)換效率。二、電動(dòng)汽車充電

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[常見問題解答]探索碳化硅肖特基二極管在可再生能源電源中的應(yīng)用[ 2024-06-08 14:37 ]

新一代IFX SiC肖特基二極管（thinQ!2G）：結(jié)合了傳統(tǒng)SiC肖特基二極管和雙極pn結(jié)構(gòu)的新一代IFX SiC肖特基二極管（thinQ!2G），具有顯著提升的浪涌電流承受能力和穩(wěn)定的過壓特性。通過優(yōu)化p區(qū)域，提高發(fā)射極效率和電導(dǎo)率，使其在正向電壓超過4V時(shí)能有效作為浪涌電流的旁路通道。此外，其優(yōu)化的浪涌電流功能允許在設(shè)計(jì)時(shí)針對(duì)應(yīng)用中的平均電流條件進(jìn)行調(diào)整，有效處理啟動(dòng)和交流回落引起的浪涌及過電流。全球功率因數(shù)調(diào)整（PFC）市場(chǎng)趨勢(shì)： PFC市場(chǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力是全球性的減少諧波失真相關(guān)規(guī)定。歐洲的EN6100

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[常見問題解答]SiC肖特基二級(jí)管在充電機(jī)電路中的應(yīng)用介紹[ 2023-06-30 18:04 ]

車載充電機(jī)是電動(dòng)汽車內(nèi)部的核心部件，其功能是按照電池管理系統(tǒng)的指令，動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)充電電流和電壓參數(shù)，完成電動(dòng)汽車的充電過程。作為一款電力電子設(shè)備，車載充電機(jī)功率電路主要由AC-DC和DC-DC電路組成。車載充電機(jī)充電框圖隨著電動(dòng)汽車技術(shù)的不斷發(fā)展和人們?nèi)找嬖鲩L(zhǎng)的充電效率需求，車載充電機(jī)的性能也在不斷地提升。傳統(tǒng)的Si器件由于其耐壓和開關(guān)頻率的限制，已經(jīng)不能滿足車載充電機(jī)日益增長(zhǎng)的性能需求。而高耐壓、低損耗且具有高速開關(guān)特性的SiC器件，正逐步取代Si器件成為車載充電機(jī)的主流應(yīng)用。下面我們以6.6kW車載充電機(jī)為例，介

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[常見問題解答]提高4H-SiC肖特基二極管和MOSFET的雪崩耐受性[ 2021-01-12 17:41 ]

提高4H-SiC肖特基二極管和MOSFET的雪崩耐受性半導(dǎo)體市場(chǎng)的最新趨勢(shì)是廣泛采用碳化硅（SiC）器件，包括用于工業(yè)和汽車應(yīng)用的肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）和功率MOSFET。與此同時(shí)，由于可供分析的現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)有限，這些器件的長(zhǎng)期可靠性成為一個(gè)需要解決的熱點(diǎn)問題。一些SiC供應(yīng)商已開始根據(jù)嚴(yán)格的工業(yè)和汽車（AEC-Q101）標(biāo)準(zhǔn)來認(rèn)證SiC器件，而另一些供應(yīng)商不但超出了這些認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)的要求，還能為惡劣環(huán)境耐受性測(cè)試提供數(shù)據(jù)。為了使SiC器件在任務(wù)和安全關(guān)鍵型應(yīng)用中保持較高的普及率，應(yīng)將這種認(rèn)證和測(cè)試策略與特定的設(shè)計(jì)規(guī)則

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[常見問題解答]晶體二極管開關(guān)轉(zhuǎn)換過程分析[ 2020-09-29 16:21 ]

晶體二極管開關(guān)轉(zhuǎn)換過程分析晶體二極管開關(guān)電路在數(shù)字系統(tǒng)和自動(dòng)化系統(tǒng)里應(yīng)用很廣泛，在晶體二極管開關(guān)特性實(shí)驗(yàn)中，其開關(guān)轉(zhuǎn)換過程中輸出與輸入存在時(shí)間上的延遲或者滯后，研究晶體二極管開關(guān)特性主要是研究其開關(guān)狀態(tài)轉(zhuǎn)換過程所需時(shí)間的長(zhǎng)短。DQ系列二極管具有超快速軟恢復(fù)等優(yōu)點(diǎn)，極大地提高了晶體二極管的開關(guān)速度。隨著技術(shù)的發(fā)展，新型的SiC肖特基勢(shì)壘二極管與采用Si或GaAS技術(shù)的傳統(tǒng)功率二極管相比，SiC肖特基二極管(SiC-SBD)可大幅降低開關(guān)損耗并提高開關(guān)頻率。在AM-LCD中，用C60制作的勢(shì)壘二極管作為有源矩陣的開關(guān)，

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[常見問題解答]晶體二極管開關(guān)轉(zhuǎn)換過程解析[ 2019-09-02 16:36 ]

晶體二極管開關(guān)電路在數(shù)字系統(tǒng)和自動(dòng)化系統(tǒng)里應(yīng)用很廣泛，在晶體二極管開關(guān)特性實(shí)驗(yàn)中，其開關(guān)轉(zhuǎn)換過程中輸出與輸入存在時(shí)間上的延遲或者滯后，研究晶體二極管開關(guān)特性主要是研究其開關(guān)狀態(tài)轉(zhuǎn)換過程所需時(shí)間的長(zhǎng)短。Microsemi公司研制的DQ系列二極管具有超快速軟恢復(fù)等優(yōu)點(diǎn)，極大地提高了晶體二極管的開關(guān)速度。隨著技術(shù)的發(fā)展，新型的SiC肖特基勢(shì)壘二極管與采用Si或GaAS技術(shù)的傳統(tǒng)功率二極管相比，SiC肖特基二極管(SiC-SBD)可大幅降低開關(guān)損耗并提高開關(guān)頻率。在AM-LCD中，用C60制作的勢(shì)壘二極管作為有源矩陣的開關(guān)

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