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        [常見問題解答]優(yōu)化MOS管開關(guān)性能:應(yīng)對米勒效應(yīng)的最新技術(shù)與方法[ 2024-05-27 10:48 ]
        一、MOSFET的驅(qū)動機制與米勒平臺在電路設(shè)計中,MOSFET的柵極驅(qū)動過程至關(guān)重要,涉及對MOSFET輸入電容的充放電,尤其是柵源極電容Cgs。一旦Cgs電荷達到門檻電壓,MOSFET即切換至開啟狀態(tài)。接著,隨著Vds下降和Id上升,MOSFET進入飽和區(qū)。然而,由于米勒效應(yīng),Vgs在一段時間內(nèi)停滯,即使此時Id已達最大值,Vds仍在下降,直至米勒電容充滿電。再次將Vgs上升至驅(qū)動電壓時,MOSFET進入電阻區(qū),Vds徹底下降至最低,完成開啟過程。米勒電容的存在限制了Vgs上升速度,影響了Vds下降速度,因此延長
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        地 址/Address

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