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圖14.23(a)為- CMOS反相器，上方PMOS的柵極與下方NMOS的柵極相連，兩種器件皆為加強型MOSFET；對PMOS器件而言，閾值電壓VTn小于零，而對NMOS器件而言，閾值電壓VTn大于零（通常閾值電壓約為1...
P溝道MOS管工作原理金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導，柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時，柵...
MOSFET 管的最大柵極電壓大部分MOSFET管指定了最大柵源極間電壓(±20V）。假定超越這個限制，器件就容易被損壞。當MOSFET管工作時運用柵極輸入電阻，并在一個具有較大供電電壓的電路中關斷 ，就會...
MOS管開關電源電路主要包括輸入電網濾波器。輸入整流濾波器、逆變器、輸出整流濾波器。控制電路、保護電路。它們的功能介紹如下。(1)輸入電網濾波器：消除來自電網的干擾，如電動機的啟動、電器的開關、雷擊等產生的干擾，同時也防...
導通瞬間基極過驅動峰值輸入電流／bl為了保證迅速導通集電極電流，需要有一個持續時間很短且峰值約為導通期間平均值2～3倍的基極尖峰電流供給基極。該尖峰的持續時間僅為最小導通時間的2%-3%，如圖8.2 (a )...
單片開關電源的基本原理單片MOS開關電源的典型應用電路如圖1-13所示。由于單端反激式開關電源電路簡單、所用元件少，輸出與輸人間有電氣隔離，能方便地實現多路輸出，開關管驅動簡單，所以該電源便采用了單端反激式拓撲結構。由圖...
cmos應用在CMOS應用中能同時將p溝道mos管與n溝道MOSFET制作在同一片芯片上．需要額外的摻雜及擴散步驟，以便在襯底中成“阱”或“盆(tub)”．阱中的摻雜種類與...
由于在柵極與半導體之間有絕緣二氧化硅的關系，MOS管器件的輸入阻抗非常高，此一特色使MOSFET在功率器件的應用相當引人注目，因為高輸入阻抗的關系，柵極漏電流非常低，因此功率MOSFET不必像使用雙極型功率器件一樣，需要...
電力晶體管電力晶體管按英文Giant Transistor直譯為巨型晶體管，是一種耐高電壓、大電流的雙極結型晶體管(Bipolar Junction Transistor—BJT)，所以有時也稱為Power ...
驅動變壓器的恢復在驅動MOS晶體管Q2導通期間的開始部分，D1和S2將導通。但是當Ql已經關斷并且基—射結間的恢復電流已經變為零的時候，在繞組P2的電壓通過R1使Dl和S2反偏關斷。所有繞組在開始時都變為負，...
buck電流饋電全橋拓撲逐個根本工作原理這種拓撲如圖 所示。它與圖所示的 buck 電壓饋電全橋電路相似，同樣沒有輸出電感。但還比 后電路少了 buck 濾波電容 Cl 。不過可以為此處仍有一個由次級輸出 電...
功率場效應晶體管（P-MOSFET）簡稱功率MOSFET，是使用大都載流子導電的半導體器材，且導通時只要一種極性的載流子參加導電，是單極型晶體管。與使用少數載流子導電的雙極型功率晶體管比較，功率 MOSFET 只靠單一載...
在離線反激變換器中用到高壓雙極型晶體管的地方 ，也許會碰到tl 800V 級別的電 壓。V陽額定值在 400V 到 1000V 之間的高壓晶體管與低壓三極管的對應性能會有點 不同。這是由于高壓器件的 結構與低壓器件的結構...
全橋變換器如圖 3.3 所示，其輸入與半橋變換器相同 ，采用倍壓全橋切換整流電路 。 全橋拓撲可用于構成接 440V 網電的離線變換器 。全橋拓撲變換器最主要的優點是 ，其初級施加的是幅值為的方波電壓，而非半...
三端單片性能特點三端單片開關電源芯片是目前國際上正在流行的新型開關電源芯片。專業從事電源半導體芯片設計和生產的在世界率先研制成功的一端隔離式脈寬調制單片MOS開關電路集成電路，被譽為“頂級開關電源&rdquo...
電壓饋電串聯諧振半橋拓撲這種拓撲如圖16.23所示。運用于交流輸入為230V 的場所，它的優點是去掉了交流整流 后串聯的濾波電感并降低了 PFC模塊關斷場效晶體管的直流電壓，其電壓降為飛而不是電流饋電半橋電路中的（π／2...
管的內部構造中，漏柵源三個極之間存在一個固有的寄生二極管，如圖9.18所示。體二極管的極性能夠阻止反向電壓經過MOS管阻T管，其正向電流接受才能和反向額定電壓與MOS目T管的標稱值分歧。它的反向恢復時間比普通的交流電源整...
SCR諧振橋式拓撲概述諧振型半橋電路 （ 圖 6.10 ） 和全橋電路 （ 圖 6.11 ） 是最有用的 SCR 電路。半橋電路僅用 兩個額定有效值為 SOOY 、45A 的 SCR ( Marconi ACR25U08...
除了可以減緩開關電壓條件管電壓的上升速度 ，緩沖器的另一個很重要的優點是減小了開關管的 均勻損耗，避免了二次擊穿。二次擊穿發作在電壓 、電流經過基極反向偏置平安工作區的瞬 間。該數據圖表在用戶運用手冊中給出 （ 圖 11...
90%滿載狀況下，輸入電壓為其最小值 、最大值及額定值時漏極電流和漏源極間電壓的波形這些波形如圖 14.19 所示 。MOS管開關電源管導通時 ，初級電流波形是線性增加的斜坡外形關斷霎時 ，上升的漏極電壓上有漏感尖峰 。...
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