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        0.08pF超低電容的瞬態抑制二極管陣列(TVS)介紹

        返回列表來源:壹芯微 發布日期 2020-05-30 瀏覽:-

        0.08pF超低電容的瞬態抑制二極管陣列(TVS)介紹

        隨著5G時代系統數據速率的不斷提升,設計工程師要保持高度信號完整性將面臨越來越大的挑戰,這為超低電容的瞬態抑制二極管陣列(TVS)提供了廣闊發展空間。

        電路保護技術原廠Littelfuse日前推出了兩款超低電容ESD保護器件SP3208和SP3213系列。兩款器件均符合AEC-Q101標準,并采用相同的座模,可安全吸收±12kV的重復ESD震擊而不會影響性能,并可安全耗散2A的8/20μs浪涌電流。

        瞬態抑制二極管

        瞬態抑制二極管陣列

        SP3208和SP3213系列低于0.1pF的ESD保護可實現高達30GHz的傳輸頻帶,內部增強結構的0201DFN封裝可減少寄生電容、電感和電阻,使得這些瞬態抑制二極管陣列能夠更加輕松地融入保護方案,為全世界最快的數據接口確保高度信號完整性。其中,SP3208系列中的第一款瞬態抑制二極管陣列SP3208-01UTG經過機械優化,可提供穩定的超低電容(標稱值為0.08pF),SP3213系列器件中的第一款SP3213-01UTG可提供具有較高成本效益的ESD保護解決方案。

        兩個系列的雙向瞬態抑制二極管陣列用于在PCB布局尤其具有挑戰性的應用中保護超高速消費電子產品接口免受破壞性靜電放電(ESD)的損壞。目標應用包括超高速數據線路和接口,例如USB 3.2、3.1、3.0、2.0、HDMI 2.1. 2.0、1.4a、1.3、DisplayPort、Thunderbolt和V-by-One,低功率天線端口,消費類、移動及便攜式電子產品,以及平板電腦和帶有高速接口的外部存儲設備。

        瞬態抑制二極管

        SP3208和SP3213系列的標稱電容要低50%,更低的寄生電容和電感可改善動態電阻性能,更快、更好地保護電路,有助于保持信號的完整性,并將數據丟失率降至最低。

        目前,兩款新產品可提供表面貼裝式µDFN-2(0201)封裝,采用15,000只裝卷帶封裝,讓信號完整性工程師可創造出高速的數據環境。

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