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        12N65 TO-220參數和中文資料 - 場效應MOS管 - 壹芯微

        返回列表來源:壹芯微 發布日期 2021-07-12 瀏覽:-

        12N65 TO-220參數和中文資料 - 場效應MOS管 - 壹芯微

        12N65(12A,650V N溝道場效應功率管)

        品牌:壹芯微|類型:場效應管|封裝:TO-220|參數達標 質量穩定 免費樣品 歡迎咨詢


        12N65場效應管主要參數
        參數\型號12N65

        極性N

        ID(A)12

        VDSS(V)650

        RDS(ON):Max(Ω)0.85

        RDS(ON):VGS(Ω)10

        VGS(th):(V)2~4

        Gfs(min):(S)7.8

        Gfs(min):Vgs(V)40

        Gfs(min):Io(A)6.0

        封裝TO-220


        概述:壹芯12N65是N溝道增強模式功率場使用壹芯生產的效應晶體管MOSFET專有的平面條紋和DMOS技術。這些器件適用于高效率開關模式電源供應。為了最大限度地減少通態電阻,提供卓越的開關性能和承受雪崩中的高能量脈沖和換向方式,先進的技術已經特別量身定做。


        特性:RDS(ON) < 0.85Ω @ VGS = 10V,ID = 6.0A  · 超低柵極電荷(典型值 42 nC)  · 低反向傳輸電容(CRSS = 典型值 25 pF)  · 快速切換能力  · 指定雪崩能量  · 改進的 dv/dt 能力,高耐用性


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