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        10N65 TO-220參數(shù)和中文資料 - 場(chǎng)效應(yīng)MOS管 - 壹芯微

        返回列表來(lái)源:壹芯微 發(fā)布日期 2021-07-12 瀏覽:-

        10N65 TO-220參數(shù)和中文資料 - 場(chǎng)效應(yīng)MOS管 - 壹芯微

        10N65(10A,650V N溝道場(chǎng)效應(yīng)功率管)

        品牌:壹芯微|類(lèi)型:場(chǎng)效應(yīng)管|封裝:TO-220|參數(shù)達(dá)標(biāo) 質(zhì)量穩(wěn)定 免費(fèi)樣品 歡迎咨詢(xún)


        10N65場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)
        參數(shù)\型號(hào)10N65

        極性N

        ID(A)10

        VDSS(V)650

        RDS(ON):Max(Ω)1.0

        RDS(ON):VGS(Ω)10

        VGS(th):(V)2~4

        Gfs(min):(S)6.2

        Gfs(min):Vgs(V)40

        Gfs(min):Io(A)5.0

        封裝TO-220


        描述:壹芯10N65是一款高電壓大電流電源MOSFET,旨在具有更好的特性,例如快速開(kāi)關(guān)時(shí)間、低柵極電荷、低導(dǎo)通電阻和高崎嶇的雪崩特性。這種功率MOSFET通常是用于電源、PWM中的高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用電機(jī)控制、高效直流到直流轉(zhuǎn)換器和電橋電路。

        特性:Ros(on)<0.86Q@ Ves=10V 低柵極電荷(典型值 44 nC)低Crss(典型值18 pF)快速切換100% 雪崩測(cè)試 改進(jìn)的 dv/dt 能力


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