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        7N65 TO-252/TO-220參數(shù)和中文資料 - 場(chǎng)效應(yīng)MOS管 - 壹芯微

        返回列表來(lái)源:壹芯微 發(fā)布日期 2021-07-12 瀏覽:-

        7N65 TO-252/TO-220參數(shù)和中文資料 - 場(chǎng)效應(yīng)MOS管 - 壹芯微

        7N65(7A,650V N溝道場(chǎng)效應(yīng)功率管)

        品牌:壹芯微|類(lèi)型:場(chǎng)效應(yīng)管|封裝:TO-252/TO-220|參數(shù)達(dá)標(biāo) 質(zhì)量穩(wěn)定 免費(fèi)樣品 歡迎咨詢


        7N65場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)
        參數(shù)\型號(hào)7N65

        極性N

        ID(A)7

        VDSS(V)650

        RDS(ON):Max(Ω)1.4

        RDS(ON):VGS(Ω)10

        VGS(th):(V)2~4

        Gfs(min):(S)6.5

        Gfs(min):Vgs(V)40

        Gfs(min):Io(A)3.5

        封裝TO-252/TO-220


        概述:壹芯7N65這種先進(jìn)的高壓MOSFET設(shè)計(jì)用于在雪崩模式下承受高能量并有效切換。這種新型高能器件還提供漏源二極管快速恢復(fù)時(shí)間。專(zhuān)為高壓、高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì),例如電源、轉(zhuǎn)換器、動(dòng)力電機(jī)控制和橋式電路。

        特性:高額定電流下羅斯(上)低電容降低總柵極電荷更嚴(yán)格的 Vso 規(guī)格雪崩能量指定


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