2N65KG-TN3-R場(chǎng)效應(yīng)管,2N65KG-TN3-R參數(shù)中文資料 - 壹芯微

T2N65KG-TN3-R的概述：

2N65K 是高壓功率 MOSFET，是旨在具有更好的特性，例如快速切換時(shí)間、低柵極電荷、低導(dǎo)通電阻和高崎嶇的雪崩特性。 這種功率 MOSFET 通常是用于電源中的高速開關(guān)應(yīng)用，PWM 電機(jī)控制、高效 DC 到 DC 轉(zhuǎn)換器和橋接電路。

2N65K is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power supplies, PWM motor controls, high efficient DC to DC converters and bridge circuits.

T2N65KG-TN3-R的特性：

RDS(ON) < 6.0Ω @ VGS=10V, ID1A

快速切換能力

指定雪崩能量

改進(jìn)的 dv/dt 能力，高耐用性

RDS(ON) < 6.0? @ VGS=10V, ID1A

Fast switching capability

Avalanche energy specified

Improved dv/dt capability, high ruggedness

T2N65KG-TN3-R的絕對(duì)最大額定值TC = 25°C，除非另有說明：

T2N65KG-TN3-R的引腳說明：

壹芯微致力于半導(dǎo)體器件、集成電路、功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，至今已有20年半導(dǎo)體行業(yè)研發(fā)、制造經(jīng)驗(yàn)。目前壹芯微產(chǎn)品已經(jīng)在便攜性設(shè)備、電動(dòng)車、LED照明、家電、鋰電保護(hù)、電機(jī)控制器等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用，幫助合作伙伴解決符合國(guó)情、符合國(guó)際質(zhì)量的國(guó)內(nèi)優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品。除提供免費(fèi)試樣外，更可根據(jù)客戶需求進(jìn)行量身定制二三極管MOS管產(chǎn)品。直接百度搜索“壹芯微”即可找到我們，免費(fèi)試樣熱線：13534146615(微信同號(hào)) QQ：2881579535 或請(qǐng)咨詢官網(wǎng)在線客服。