2N7002場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù),2N7002規(guī)格書(shū)中文資料,參數(shù)代換

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2N7002 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 60V，0.115A，7.5Ω，SOT23（或不同封裝）

2N7002(SOT-23)封裝引腳圖如下 (圖片)

描述

此N溝道增強(qiáng)模式MOSFET是使用高單元密度的溝槽MOSFET技術(shù)生產(chǎn)的。此產(chǎn)品可最大程度地降低導(dǎo)通電阻，同時(shí)具備強(qiáng)固、可靠和快速開(kāi)關(guān)性能。此產(chǎn)品可用于最高要求400mA DC的大多數(shù)應(yīng)用，可以提供高達(dá)2A的脈沖電流。這些產(chǎn)品尤其適合低電壓、低電流應(yīng)用，如小型伺服電機(jī)控制、功率MOSFET門(mén)極驅(qū)動(dòng)器和其他開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

特性

高密度單元設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)極低的RDS(ON)。

電壓控制的小型信號(hào)開(kāi)關(guān)。

堅(jiān)固而可靠。

高飽和電流能力。

應(yīng)用

該產(chǎn)品是一般用途，適用于許多不同的應(yīng)用。小型伺服電機(jī)控制功率MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器

2N7002主要參數(shù)

極性：NPN

漏源電壓(VDS)：60(V)

柵源電壓(VGS)：±20(V)

單脈沖雪崩電流(IAS)：*(A)

漏極電流-連續(xù)(ID)：115(mA)

漏極電流-脈沖(IDM)：800(mA)

單脈沖雪崩能量(EAS)：*(mJ)

重復(fù)雪崩能量(EAR)：*(mJ)

二極管恢復(fù)峰值(dv/d)：*(V/ns)

功耗(PD)：200(mW)

工作與貯存溫度范圍(TJ,TSTG)：-55~150(°С)

熱阻-結(jié)到環(huán)境(RθJA)：625(°C/W)

熱阻-結(jié)到外殼(RθJC)：*(°C/W)

焊接的最高引線(xiàn)溫度(TL)：300(°С)

2N7002封裝尺寸

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