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來源:壹芯微 發(fā)布日期
2021-09-24 瀏覽:-2N70KL-TN3-R場效應(yīng)管參數(shù)中文資料 現(xiàn)貨替代 廠家直營 - 壹芯微

型號:2N70KL-TN3-R 極性:N溝道;電壓:700V 電流:2A;封裝:TO-252 促銷價(jià)格/免費(fèi)樣品/選型替代/原廠直銷
2N70KL-TN3-R參數(shù)中文資料,2N70KL-TN3-R封裝管腳引腳圖,2N70KL-TN3-R規(guī)格書:查看下載

2N70KL-TN3-R的概述:
2N70K是一種高壓MOSFET,旨在其他特性,例如快速切換時(shí)間、低柵極電荷、低導(dǎo)通電阻和高堅(jiān)固性雪崩特性。這種功率MOSFET通常用于高速開關(guān)應(yīng)用在電源、PWM電機(jī)控制、高效率直流到直流轉(zhuǎn)換器和橋式電路。
2N70KL-TN3-R的特性:
* RDS(ON)<7.5Ω@VGS=10V
* 快速切換能力
* 指定雪崩能量
* 改進(jìn)的dv/dt能力,高耐用性

2N70KL-TN3-R的絕對最大額定值(TC = 25°C,除非另有說明):
Drain-SourceVoltage漏源電壓,VDSS:700 V
Gate-SourceVoltage柵源電壓,VGSS:±30 V
AvalancheCurrent雪崩電流(注2),IAR:2.0 A
Drain CurrentContinuous漏極電流持續(xù),ID:2.0 A
Drain CurrentPulsed漏極電流脈沖(注2),IDM:8.0 A
AvalancheEnergySinglePulsed雪崩能量單脈沖(注3), EAS:20 mJ
AvalancheEnergyRepetitive雪崩能量重復(fù)(注2), EAR:2.8 mJ
PeakDiodeRecovery二極管峰值恢復(fù)(注4),dv/dt:4.5 V/ns
PowerDissipation功耗,TO-220F2 PD:40 W
PowerDissipation功耗,TO-252 PD:30 W
JunctionTemperature結(jié)溫,TJ:+150 °С
OperatingTemperature工作溫度,TOPR:-55~+150 °С
StorageTemperature儲存溫度,TSTG:-55~+150 °С

壹芯微2N70KL-TN3-R規(guī)格書下還有熱特性,靜態(tài)特性與電氣參數(shù)等,建議自行閱讀觀看。
壹芯微致力于半導(dǎo)體器件、集成電路、功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售,至今已有20年半導(dǎo)體行業(yè)研發(fā)、制造經(jīng)驗(yàn)。目前壹芯微產(chǎn)品已經(jīng)在便攜性設(shè)備、電動(dòng)車、LED照明、家電、鋰電保護(hù)、電機(jī)控制器等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用,幫助合作伙伴解決符合國情、符合國際質(zhì)量的國內(nèi)優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品。除提供免費(fèi)試樣外,更可根據(jù)客戶需求進(jìn)行量身定制二三極管MOS管產(chǎn)品。直接百度搜索“壹芯微”即可找到我們,免費(fèi)試樣熱線:13534146615(微信同號) QQ:2881579535 或請咨詢官網(wǎng)在線客服。

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