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        2N70KL-TN3-R場效應(yīng)管參數(shù)中文資料 現(xiàn)貨替代 廠家直營 - 壹芯微

        返回列表來源:壹芯微 發(fā)布日期 2021-09-24 瀏覽:-

        2N70KL-TN3-R場效應(yīng)管參數(shù)中文資料 現(xiàn)貨替代 廠家直營 - 壹芯微

        2N70KL-TN3-R

        型號:2N70KL-TN3-R 極性:N溝道;電壓:700V 電流:2A;封裝:TO-252 促銷價(jià)格/免費(fèi)樣品/選型替代/原廠直銷

        2N70KL-TN3-R參數(shù)中文資料,2N70KL-TN3-R封裝管腳引腳圖,2N70KL-TN3-R規(guī)格書:查看下載

        2N70KL-TN3-R

        2N70KL-TN3-R的概述:

        2N70K是一種高壓MOSFET,旨在其他特性,例如快速切換時(shí)間、低柵極電荷、低導(dǎo)通電阻和高堅(jiān)固性雪崩特性。這種功率MOSFET通常用于高速開關(guān)應(yīng)用在電源、PWM電機(jī)控制、高效率直流到直流轉(zhuǎn)換器和橋式電路。

        2N70KL-TN3-R的特性:

        * RDS(ON)<7.5Ω@VGS=10V

        * 快速切換能力

        * 指定雪崩能量

        * 改進(jìn)的dv/dt能力,高耐用性

        2N70KL-TN3-R

        2N70KL-TN3-R絕對最大額定值(TC = 25°C,除非另有說明):

        Drain-SourceVoltage漏源電壓,VDSS:700 V

        Gate-SourceVoltage柵源電壓,VGSS:±30 V

        AvalancheCurrent雪崩電流(注2),IAR:2.0 A

        Drain CurrentContinuous漏極電流持續(xù),ID:2.0 A

        Drain CurrentPulsed漏極電流脈沖(注2),IDM:8.0 A

        AvalancheEnergySinglePulsed雪崩能量單脈沖(注3), EAS:20 mJ

        AvalancheEnergyRepetitive雪崩能量重復(fù)(注2), EAR:2.8 mJ

        PeakDiodeRecovery二極管峰值恢復(fù)(注4),dv/dt:4.5 V/ns

        PowerDissipation功耗,TO-220F2 PD:40 W

        PowerDissipation功耗,TO-252 PD:30 W

        JunctionTemperature結(jié)溫,TJ:+150 °С

        OperatingTemperature工作溫度,TOPR:-55~+150 °С

        StorageTemperature儲存溫度,TSTG:-55~+150 °С

        2N70KL-TN3-R

        壹芯微2N70KL-TN3-R規(guī)格書下還有熱特性,靜態(tài)特性與電氣參數(shù)等,建議自行閱讀觀看。


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