3N80ZL-TN3-R場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)規(guī)格書(shū) MOS管廠家直營(yíng) - 壹芯微

型號(hào)：3N80ZL-TN3-R 極性：N溝道；電壓：800V 電流：3A；封裝：TO-252 促銷價(jià)格/免費(fèi)樣品/選型替代/原廠直銷

3N80ZL-TN3-R參數(shù)中文資料,3N80ZL-TN3-R封裝管腳引腳圖,3N80ZL-TN3-R規(guī)格書(shū):查看下載

3N80ZL-TN3-R的概述：

3N80Z 提供出色的 RDS(ON)、低柵極電荷和

以低柵極電壓運(yùn)行。 該設(shè)備適用于

用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或在 PWM 應(yīng)用中。

3N80ZL-TN3-R的特性：

* RDS(ON)<4.2Ω @ VGS=10V, ID=1.5A

* 快速切換能力

* 指定雪崩能量

* 改進(jìn)的dv/dt能力，高耐用性

3N80ZL-TN3-R的絕對(duì)最大額定值（TC = 25°C，除非另有說(shuō)明）：

Drain-SourceVoltage漏源電壓(VGS=0V),VDSS：800 V

Gate-SourceVoltage柵源電壓,VGSS：±20 V

MinimumGate-SourceBreakdownVoltage

最小柵源擊穿電壓(IGS=±1mA),BVGSO：30 V

ContinuousDrainCurrent持續(xù)漏極電流,ID：3.0 A

PulsedDrainCurrent脈沖漏極電流,IDM：12 A

AvalancheCurrent雪崩電流(注2),IAR：4.0 A

SinglePulseAvalancheEnergy單脈沖雪崩能量(注3),EAS：150 mJ

PeakDiodeRecovery峰值二極管恢復(fù)(注4),dv/dt：3.1 V/ns

PowerDissipation功耗,TO-220F1 PD：25 W

PowerDissipation功耗,TO-252 PD：50 W

JunctionTemperature結(jié)溫,TJ：+150 °C

StorageTemperature儲(chǔ)存溫度,TSTG：-55~+150 °C

注意： 1. 絕對(duì)最大額定值是指超出該值可能會(huì)永久損壞設(shè)備的那些值。絕對(duì)最大額定值僅是應(yīng)力額定值，并不暗示功能設(shè)備操作。2. 重復(fù)額定值：脈沖寬度受最大結(jié)溫限制。3. L=35mH，IAS=3.0A，VDD=50V，RG=25Ω，起始TJ=25°C。

壹芯微3N80ZL-TN3-R規(guī)格書(shū)下還有熱特性，靜態(tài)特性與電氣參數(shù)等，建議自行閱讀觀看。

壹芯微致力于半導(dǎo)體器件、集成電路、功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，至今已有20年半導(dǎo)體行業(yè)研發(fā)、制造經(jīng)驗(yàn)。目前壹芯微產(chǎn)品已經(jīng)在便攜性設(shè)備、電動(dòng)車、LED照明、家電、鋰電保護(hù)、電機(jī)控制器等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用，幫助合作伙伴解決符合國(guó)情、符合國(guó)際質(zhì)量的國(guó)內(nèi)優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品。除提供免費(fèi)試樣外，更可根據(jù)客戶需求進(jìn)行量身定制二三極管MOS管產(chǎn)品。直接百度搜索“壹芯微”即可找到我們，免費(fèi)試樣熱線：13534146615(微信同號(hào)) QQ：2881579535 或請(qǐng)咨詢官網(wǎng)在線客服。