2N80G-TN3-R場效應(yīng)管,2N80G-TN3-R參數(shù)中文資料 - 壹芯微

型號：2N80G-TN3-R 極性：N溝道；電壓：800V 電流：2A；封裝：TO-252 促銷價格/免費樣品/選型替代/原廠直銷

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2N80G-TN3-R的概述：

2N80是N溝道模式功率MOSFET，采用先進技術(shù)為客戶提供平面條紋和DMOS技術(shù)。 該技術(shù)專門用于實現(xiàn)最小的通態(tài)電阻和卓越的開關(guān)性能。 它還可以承受雪崩和換向模式下的高能量脈沖。2N80普遍應(yīng)用于高效開關(guān)

模式電源。

2N80G-TN3-R的特性：

RDS(on)<6.3Ω @ VGS=10V, ID=1.2A

高切換速度 

2N80G-TN3-R的絕對最大額定值（TC = 25°C，除非另有說明）：

Drain-SourceVoltage漏源電壓,V_DSS：800V

Gate-SourceVoltage柵源電壓,V_GSS：±30V

AvalancheCurrent雪崩電流(注2),I_AR：2.4A

DrainCurrentContinuous漏極電流持續(xù),I_D：2.4A

DrainCurrentPulsed漏極電流脈沖(注2),I_DM：9.6A

AvalancheEnergySinglePulsed雪崩能量單脈沖(注3),E_AS：180mJ

AvalancheEnergyRepetitive雪崩能量重復(fù)(注2),E_AR：8.5mJ

PeakDiodeRecovery二極管峰值恢復(fù)(注4),dv/dt：4.0V/ns

PowerDissipation功耗,TO-220,P_D：85W

PowerDissipation功耗,TO-220F/TO-220F1/TO-220F2,P_D：24W

PowerDissipation功耗,TO-251/TO-252/TO-252D,P_D：43W

JunctionTemperature結(jié)溫,T_J：+150°C

StorageTemperature儲存溫度,T_STG：-55~+150°C

注意：1.絕對最大額定值是指超出該值可能會永久損壞設(shè)備的那些值。絕對最大額定值僅是應(yīng)力額定值，并不暗示功能設(shè)備操作。

2.重復(fù)評級：脈沖寬度受最大結(jié)溫限制

3.L=59mH，I_AS=2.4A，V_DD=50V，R_G=25Ω，起始T_J=25°C

4.I_SD≤2.4A，di/dt≤200A/µs，V_DD≤BV_DSS，起始T_J=25°C

壹芯微2N80G-TN3-R規(guī)格書下還有熱特性，靜態(tài)特性與電氣參數(shù)等，建議自行閱讀觀看。

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