7N60KL-TN3-G場效應(yīng)管參數(shù)中文資料 現(xiàn)貨替代 廠家直營 - 壹芯微

型號：7N60KL-TN3-G 極性：N溝道；電壓：600V 電流：7A；封裝：TO-252 促銷價格/免費樣品/選型替代/原廠直銷

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7N60KL-TN3-G的概述：

7N60K是一種高壓功率MOSFET，旨在具有更好的特性，例如快速開關(guān)時間、低柵極電荷、低導(dǎo)通電阻和高堅固性雪崩特性。 該功率MOSFET通常用于開關(guān)電源和適配器中的高速開關(guān)應(yīng)用。

7N60KL-TN3-G的特性：

* RDS(ON)<1.2Ω@VGS=10V

* 超低柵極電荷（典型值 29nC）

* 低反向傳輸電容（CRSS=典型值16pF）

* 快速切換能力

* 雪崩能量測試

* 改進的dv/dt能力，高耐用性

7N60KL-TN3-G的絕對最大額定值（TC = 25°C，除非另有說明）：

Drain-SourceVoltage漏源電壓,V_DSS：600V

Gate-SourceVoltage柵源電壓,V_GSS：±30V

AvalancheCurrent雪崩電流(注2),I_AR：7.4A

DrainCurrentContinuous漏極電流持續(xù),I_D：7.4A

DrainCurrentPulsed漏極電流脈沖(注2),I_DM：29.6A

AvalancheEnergySinglePulsed雪崩能量單脈沖(注3),E_AS：220mJ

AvalancheEnergyRepetitive雪崩能量重復(fù)(注2),E_AR：14.2mJ

PeakDiodeRecovery二極管峰值恢復(fù)(注4),dv/dt：4.5V/ns

PowerDissipation功耗,TO-220/TO-263,P_D：142W

PowerDissipation功耗,TO-220F/TO-220F1/TO-220F3,P_D：48W

PowerDissipation功耗,TO-220F2,P_D：50W

JunctionTemperature結(jié)溫,T_J：+150°C

StorageTemperature儲存溫度,T_STG：-55~+150°C

注意：1.絕對最大額定值是指超出該值可能會永久損壞設(shè)備的那些值。絕對最大額定值僅是應(yīng)力額定值，并不暗示功能設(shè)備操作。

2.重復(fù)額定值：脈沖寬度受最大結(jié)溫限制

3.L=9mH，IAS=7A，VDD=90V，RG=25Ω，啟動TJ=25°C

4.ISD≤7.4A，di/dt≤200A/μs，VDD≤BVDSS，起始TJ=25°C

壹芯微7N60KL-TN3-G規(guī)格書下還有熱特性，靜態(tài)特性與電氣參數(shù)等，建議自行閱讀觀看。

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