5N70KL-TN3-R場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)規(guī)格書 MOS管廠家直營(yíng) - 壹芯微

型號(hào)：5N70KL-TN3-R 極性：N溝道；電壓：700V 電流：5A；封裝：TO-252 促銷價(jià)格/免費(fèi)樣品/選型替代/原廠直銷

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5N70KL-TN3-R的概述：

7N60K是一種高壓功率MOSFET，旨在具有更好的特性，例如快速開(kāi)關(guān)時(shí)間、低柵極電荷、低導(dǎo)通電阻和高堅(jiān)固性雪崩特性。 該功率MOSFET通常用于開(kāi)關(guān)電源和適配器中的高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

RDS(ON) < 1.2Ω @VGS = 10V

5N70KL-TN3-R的特性：

超低柵極電荷（典型值 29 nC）

低反向傳輸電容（CRSS = 典型值 16pF）

快速切換能力

雪崩能量測(cè)試

改進(jìn)的dv/dt能力，高耐用性

5N70KL-TN3-R的絕對(duì)最大額定值（TC = 25°C，除非另有說(shuō)明）：

Drain-Source Voltage漏源電壓,VDSS：600V

Gate-Source Voltage柵源電壓,VGSS：±30V

Avalanche Current 雪崩電流(注2),IAR：7.4A

Drain Current  Continuous漏極電流持續(xù),ID：7.4A

Drain Current Pulsed漏極電流脈沖(注2),IDM：29.6A

Avalanche Energy Single Pulsed雪崩能量單脈沖(注3),EAS：220mJ

Avalanche Energy Repetitive雪崩能量重復(fù)(注2),EAR：14.2mJ

Peak Diode Recovery二極管峰值恢復(fù)(注4),dv/dt：4.5V/ns

Power Dissipation功耗,TO-220/TO-263,PD：142W

Power Dissipation功耗,TO-220F/TO-220F1/TO-220F3,PD：48W

Power Dissipation功耗,TO-220F2,PD：50W

Junction Temperature結(jié)溫,TJ：+150°C

Storage Temperature儲(chǔ)存溫度,TSTG：-55~+150°C

注意：1.絕對(duì)最大額定值是指超出該值可能會(huì)永久損壞設(shè)備的那些值。

絕對(duì)最大額定值僅是應(yīng)力額定值,并不暗示功能設(shè)備操作。

2.重復(fù)額定值：脈沖寬度受最大結(jié)溫限制

3.L=9mH,IAS=7A,VDD=90V,RG=25Ω,啟動(dòng)TJ=25°C

4.ISD≤7.4A,di/dt≤200A/μs,VDD≤BVDSS,起始TJ=25°C

壹芯微5N70KL-TN3-R規(guī)格書下還有熱特性，靜態(tài)特性與電氣參數(shù)等，建議自行閱讀觀看。

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