2NM70場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)_2NM70(MOS管)中文資料_規(guī)格書

2NM70 - 2.0A,700V N溝道超結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管

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2NM70的概述：

2NM70是一種超級(jí)結(jié)MOSFET結(jié)構(gòu)，旨在具有更好的特性，例如快速切換時(shí)間、低柵極電荷、低導(dǎo)通電阻和高堅(jiān)固性雪崩特性。 該功率MOSFET通常用于電源、PWM電機(jī)控制、高效DC到DC轉(zhuǎn)換器和橋式電路中的高速開關(guān)應(yīng)用。

2NM70的特性：

RDS(ON)<3.0Ω@VGS=10V，ID=1.0A

快速切換能力

指定雪崩能量

改進(jìn)的dv/dt能力，高耐用性

2NM70的絕對(duì)最大額定值（TC = 25°C，除非另有說(shuō)明）：

Drain-SourceVoltage漏源電壓,VDSS：700V

Gate-SourceVoltage柵源電壓,VGSS：±30V

Drain CurrentContinuous漏極電流連續(xù),ID：2.0A

DrainCurrentPulsed脈沖漏極電流(注2),IDM：8.0A

AvalancheCurrent雪崩電流(注2),IAR：1A

AvalancheEnergySinglePulsed雪崩能量單脈沖(注3),EAS：69mJ

PeakDiodeRecovery峰值二極管恢復(fù)(注4),dv/dt：3V/ns

PowerDissipation功耗,SOT-223,PD：10W

PowerDissipation功耗,TO-220,PD：45W

PowerDissipation功耗,TO-220F/TO-220F1,PD：28W

PowerDissipation功耗,TO-220F2,PD：40W

PowerDissipation功耗,TO-251/TO-252,PD：30W

JunctionTemperature結(jié)溫,TJ：+150°С

StorageTemperature儲(chǔ)存溫度,TSTG：-55~+150°С

注意：1.絕對(duì)最大額定值是指超出該值可能會(huì)永久損壞設(shè)備的那些值。

絕對(duì)最大額定值僅是應(yīng)力額定值，并不暗示功能設(shè)備操作。

2.重復(fù)額定值：脈沖寬度受最大結(jié)溫限制。

3.L=138mH,IAS=1.0A,VDD=50V,RG=25Ω,起始TJ=25°C

4.ISD≤2.0A，di/dt≤200A/μs，VDD≤BVDSS，起始TJ=25°C

壹芯微2NM70規(guī)格書下還有熱特性，靜態(tài)特性與電氣參數(shù)等，建議自行閱讀觀看。

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