【3NM70 PDF數據手冊】3NM70場效應管參數代換

3NM70 - 3.0A,700V N溝道超結場效應管

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3NM70的概述：

3NM70是一種超級結MOSFET結構，旨在具有更好的特性，例如快速開關時間、低柵極電荷、低導通電阻和高堅固性雪崩特性。 該功率MOSFET通常用于電源、PWM電機控制、高效DC到DC 轉換器和橋式電路中的高速開關應用。

3NM70的特性：

*RDS(ON)<2.28Ω @ VGS=10V，ID=1.5A

*低反向傳輸電容

*快速切換能力

*指定雪崩能量

*改進 dv/dt能力，高耐用性

3NM70的絕對最大額定值（TC = 25°C，除非另有說明）：

Drain-SourceVoltage漏源電壓,V_DSS：700V

Gate-SourceVoltage柵源電壓,V_GSS：±30V

ContinuousDrainCurrent持續漏極電流,I_D：3.0A

PulsedDrainCurrent脈沖漏極電流(注2),I_DM：12A

AvalancheCurrent雪崩電流(注2),I_AR：1.6A

AvalancheEnergySinglePulsed雪崩能量單脈沖(注3),E_AS：13mJ

PeakDiodeRecovery二極管峰值恢復(注4),dv/dt：5.0V/ns

PowerDissipation功耗,SOT-223,P_D：10W

PowerDissipation功耗,TO-220,P_D：78W

PowerDissipation功耗,TO-220F/TO-220F1,PD：34W

PowerDissipation功耗,TO-220F2,P_D：35W

PowerDissipation功耗,TO-251/TO-252,P_D：50W

JunctionTemperature結溫,T_J：+150°C

StorageTemperature儲存溫度,T_STG：-55~+150°C

注意：1.絕對最大額定值是指超出該值可能會永久損壞設備的那些值。

絕對最大額定值僅是應力額定值,并不暗示功能設備操作。

2.重復額定值：脈沖寬度受最大結溫限制。

3.L=10mH，IAS=1.6A，VDD=50V，RG=25Ω，起始TJ=25°C

4.ISD≤3.0A，di/dt≤200A/μs，VDD≤BVDSS，起始TJ=25°C

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