4NM60AG-TN3-G場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)規(guī)格書 MOS管廠家直營(yíng) - 壹芯微

型號(hào)：4NM60AG-TN3-G 極性：N溝道；電壓：600V電流：4A；封裝：TO-252 促銷價(jià)格/免費(fèi)樣品/選型替代/原廠直銷

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4NM60AG-TN3-G的概述：

4NM60A是一種超級(jí)結(jié)MOSFET結(jié)構(gòu)，旨在具有更好的特性，例如快速切換時(shí)間、低柵極電荷、低導(dǎo)通電阻和高堅(jiān)固性雪崩特性。 這種功率MOSFET通常用于DC-DC、AC-DC轉(zhuǎn)換器的電源應(yīng)用。

4NM60AG-TN3-G的特性：

RDS(ON)<1.4Ω@VGS=10V，ID=2.0A

快速切換能力

指定雪崩能量

改進(jìn)的dv/dt能力，高耐用性

4NM60AG-TN3-G的絕對(duì)最大額定值（TC = 25°C，除非另有說明）：

Drain-SourceVoltage漏源電壓,VDSS：600V

Gate-SourceVoltage柵源電壓,VGSS：±30V

DrainCurrentContinuous漏極電流持續(xù),ID：4.0A

DrainCurrentPulsed漏極電流脈沖(注2),IDM：16A

AvalancheCurrent雪崩電流(注2),IAR：1.3A

AvalancheEnergySinglePulsed雪崩能量單脈沖(注3),EAS：122mJ

PeakDiodeRecovery二極管峰值恢復(fù)(注4),dv/dt：4.6V/ns

PowerDissipation功耗,TO-220,PD：106W

PowerDissipation功耗,TO-220F,PD：34W

PowerDissipation功耗,TO-220F1/TO-220F2,PD：36W

PowerDissipation功耗,TO-251/TO-251S/TO-252,PD：50W

JunctionTemperature結(jié)溫,TJ：+150°С

StorageTemperature儲(chǔ)存溫度,TSTG：-55~+150°С

注意： 1. 絕對(duì)最大額定值是指超出該值可能會(huì)永久損壞設(shè)備的那些值。絕對(duì)最大額定值僅是應(yīng)力額定值，并不暗示功能設(shè)備操作。

2. 重復(fù)額定值：脈沖寬度受最大結(jié)溫限制。

3.L=144mH,IAS=1.3A,VDD=50V,RG=25Ω,起始TJ=25°C

4.ISD≤4.0A，di/dt≤200A/μs，VDD≤BVDSS，起始TJ=25°C

壹芯微4NM60AG-TN3-G規(guī)格書下還有熱特性，靜態(tài)特性與電氣參數(shù)等，建議自行閱讀觀看。

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