50P10場效應管參數-PDF規格書下載

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50P10描述與特性

50P10是一款采用先進技術的P溝道功率MOSFET，可為客戶提供高開關速度和最小導通電阻。 它還可以承受雪崩中的高能量。

* VDS=-100V

* ID=-50A

* RDS(ON)<60mΩ @ VGS=-10V, ID=-20A

* 高切換速度

50P10最大額定參數 TC=25°C，除非另有說明。

參數/符號/數值/單位

Gate-Source Voltage 柵源電壓 VGSS：±20 V 

Drain Current Continuous 漏極電流連續 ID：-50 A 

Drain Current Pulsed 漏極電流脈沖 IDM：-90 A 

Power Dissipation 功率耗散 PD：225 W 

Junction Temperature 結溫 TJ：+150 °C 

Storage Temperature 儲存溫度 TSTG：-55~+150 °C

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