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來源：壹芯微 發(fā)布日期
2021-10-20 瀏覽：-壹芯微 MOS(場效應管) SM1A06NSU N溝道 100V,60A 貼片TO-252多種封裝
SM1A06NSU場效應管參數(shù)及代換,SM1A06NSU封裝引腳圖,SM1A06NSU中文資料規(guī)格書下載
SM1A06NSU.pdf 規(guī)格書查看下載
SM1A06NSU場效應管參數(shù)如下：
極性：NPN
Drain-Source Voltage漏源電壓 VDSS：100V
Gate-Source Voltage柵源電壓 VGSS：±25V
Continuous Drain Current漏極電流連續(xù)(at TC+25°C) ID：60A
Continuous Drain Current漏極電流連續(xù)(at TC+100°C) ID：35A
Maximum Power Dissipation總功耗(TC+25°C) PD：113W
Maximum Power Dissipation總功耗(TC+100°C) PD：45W
Maximum Junction Temperature工作結溫 TJ：150°C
Storage Temperature儲存溫度 TSTG：-55~1750°C
【壹芯微】半導體功率器件制造廠商，專業(yè)研發(fā)生產與銷售：二極管/三極管/MOS場效應管/橋堆等，20年生產經驗，始終堅信質量就是生命，除提供免費試樣外，更可根據(jù)客戶需求進行量身定制產品選型，直接百度搜索“壹芯微”即可找到我們，如需咨詢產品或遇到需要幫助解決的問題，歡迎咨詢官網(wǎng)在線客服，或留言并留下聯(lián)系方式，我們將為您轉接銷售業(yè)務或工程師為您解答。
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