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        半導體器件的放大電路設計方案介紹

        返回列表來源:壹芯微 發布日期 2023-06-19 瀏覽:-

        半導體器件的放大電路設計方案介紹

        半導體器件的非線性特性使放大電路設計方案

        等效電路法

        半導體器件的非線性特性使放大電路的分析復雜化,利用線性元件建立模型,來描述非線性器件的特性,即為等效電路法。

        2.直流模型:適用于Q點的分析

        如下圖的放大電路,可求解出的靜態工作點如下所示:
        11.png

        在求解靜態工作點時,做了如下的近似:

        1)輸入回路等效為恒壓源,即UBEQ近似等于一個常數,如取0.7V。

        2)輸出回路等效為電流控制的電流源,即有ICQ=βIBQ。

        此時,即已建立了等效模型如下圖,圖中等效電路的二極管為理想二極管,二極管限定了電流的方向。
        12.png

        因此,利用估算法求解靜態工作點,實質上利用了直流模型。

        3.晶體管的h參數等效模型(交流等效模型)

        在交流通路中可將晶體管看成為一個二端口網絡,輸入回路、輸出回路各為一個端口。
        13.png

        要得到在變化量下的函數關系,需對關系式做全微分。在低頻、小信號作用下的關系式如下:
        14.png

        因此,按照上式可畫出如下的交流等效模型:
        15.png

        h參數的物理意義:h11的物理意義是b-e之間的動態電阻。

        根據表達式可知,h11指的是在CE之間的電壓是常數時,BE之間的電壓有微小的變化時與iB的變化關系。

        h12為內反饋系數。輸出通過一定的方式影響了輸入,即為反饋。

        h21為電流放大系數,h22為c-e之間的電導。
        16.png

        由此可建立簡化的h參數等效電路-交流等效模型,并且對于晶體管從輸入回路看到的結構如下:
        17.png

        在輸入特性曲線上,Q點越高,rbe越小。

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