CJU01N65B場效應(MOS管)參數 報價 原廠直銷 免費樣品 - 壹芯微

CJU01N65B的概述：

這種先進的高壓 MOSFET 設計用于承受雪崩模式下的高能量并有效切換。 這個新高能器件還提供快速漏源二極管恢復時間。 專為高電壓、高速開關而設計電源、轉換器、動力電機等應用控制和橋接電路。

This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Desighed for high voltage, high speed switching applications such as power supplies, converters, power motor controls and bridge circuits. 

CJU01N65B的特性：

高額定電流  High Current Rating

降低 RDS(on)  Lower RDS(on)

較低的電容  Lower Capacitance

降低總柵極電荷  Lower Total Gate Charge

更嚴格的 VSD 規格  Tighter VSD Specifications

雪崩能量指定  Avalanche Energy Specified

CJU01N65B的絕對最大額定值（TC = 25°C，除非另有說明）：

CJU01N65B的電氣特性（TC =25°С，除非另有說明）：

注意事項：1. L=10mH, IL=1 A, VDD=50V, VGS=10V,RG=25Ω,啟動TJ=25℃。2. 脈沖測試：脈沖寬度≤300μs，占空比≤2%。3.這些參數沒有辦法驗證。

Notes :1. L=10mH, IL=1 A, VDD=50V, VGS=10V,RG=25?,Starting TJ=25℃. 2. Pulse Test : Pulse width≤300µs, duty cycle ≤2%. 3. These parameters have no way to verify. 

CJU01N65B的引腳說明：

壹芯微致力于半導體器件、集成電路、功率器件的研發、生產與銷售，至今已有20年半導體行業研發、制造經驗。目前壹芯微產品已經在便攜性設備、電動車、LED照明、家電、鋰電保護、電機控制器等領域獲得廣泛應用，幫助合作伙伴解決符合國情、符合國際質量的國內優質產品。除提供免費試樣外，更可根據客戶需求進行量身定制二三極管MOS管產品。直接百度搜索“壹芯微”即可找到我們，免費試樣熱線：13534146615(微信同號) QQ：2881579535 或請咨詢官網在線客服。