4N65L-TN3-T場效應管參數規格書 MOS管廠家直營 - 壹芯微

4N65L-TN3-T的詳細參數：

參數名稱	參數值
是否Rohs認證	符合
生命周期	Active
Objectid	1052508556
零件包裝代碼	TO-252
包裝說明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
針數	4
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代碼	EAR99
風險等級	5.83
雪崩能效等級（Eas）	200 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓	650 V
最大漏極電流 (Abs) (ID)	4 A
最大漏極電流 (ID)	4 A
最大漏源導通電阻	2.5 Ω
FET 技術	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反饋電容 (Crss)	18 pF
JEDEC-95代碼	TO-252
JESD-30 代碼	R-PSSO-G2
元件數量	1
端子數量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度	150 °C
最低工作溫度	-55 °C
封裝主體材料	PLASTIC/EPOXY
封裝形狀	RECTANGULAR
封裝形式	SMALL OUTLINE
極性/信道類型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	50 W
最大脈沖漏極電流 (IDM)	16 A
表面貼裝	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
晶體管應用	SWITCHING
晶體管元件材料	SILICON
最大關閉時間（toff）	285 ns
最大開啟時間（噸）	180 ns

4N65L-TN3-T的絕對最大額定值：TC = 25°C，除非另有說明：

注意：1. 絕對最大額定值是指超出該值可能會永久損壞設備的那些值。絕對最大額定值僅是應力額定值，并不暗示功能設備操作。2. 重復額定值：脈沖寬度受最大結溫限制。3. L = 30mH，IAS = 3.65A，VDD = 50V，RG = 25 Ω，起始 TJ = 25°C  4. ISD≤4.4A，di/dt ≤200A/μs，VDD≤BVDSS，起始TJ = 25°C

Note: 1. Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged. Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied. 2. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature. 3. L = 30mH, IAS = 3.65A, VDD = 50V, RG = 25 ?, Starting TJ = 25°C 4. ISD≤4.4A, di/dt ≤200A/μs, VDD≤BVDSS, Starting TJ = 25°C 

4N65L-TN3-T的電氣特性（TC =25°С，除非另有說明）

4N65L-TN3-T的引腳說明：

4N65L-TN3-T的訂購信息：