場(chǎng)效應(yīng)管的代換規(guī)則跟互換介紹

MOS管的N溝道與P溝道之間的關(guān)系

純半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能很差，但是可以通過加入一些特殊的雜質(zhì)增強(qiáng)其導(dǎo)電能力。N型MOSFET會(huì)引入額外可移動(dòng)的負(fù)電荷（電子），此時(shí)為N型（N溝道）參雜，在N型MOSFET中電子為多數(shù)載流子，空穴為少數(shù)載流子。P型MOSFET在半導(dǎo)體中產(chǎn)生帶正電荷的空穴，此時(shí)為P型（P溝道）參雜，在P型MOSFET中空穴為多數(shù)載流子，電子為少數(shù)載流子。

MOS管P管N管區(qū)分方法

P型MOSFET和N型MOSFET的結(jié)構(gòu)如下圖所示：

從這兩張圖的對(duì)比可知，對(duì)于P型MOSFET，其寄生體二極管的陽(yáng)極與漏極相連，陰極與源極相連；而對(duì)于N型MOSFET，其寄生體二極管的陽(yáng)極與源極相連，陰極與漏極相連。P型MOSFET和N型MOSFET的體二極管的陰陽(yáng)極連接剛好相反。因此P型MOSFET和N型MOSFET，雖然從外觀上無法區(qū)分，但是用萬用表測(cè)試其寄生體二極管的陰陽(yáng)極與漏源極的連接關(guān)系，便可區(qū)分開來。

另外一種區(qū)分MOSFET是P型還是N型的方法是看開通該MOSFET，門極對(duì)源極是需要正電平還是負(fù)電平。

對(duì)于N型MOSFET，若要將其開通，需要門極對(duì)源極（VGS）加一個(gè)正電壓（該電壓需要高于該MOSFET的門限電壓），例如+10V。而對(duì)于P型MOSFET，如要將其開通，需要門極對(duì)源極（VGS）加一個(gè)負(fù)電壓（該負(fù)電壓需要低于該MOSFET的門限電壓），例如-10V。

n溝道場(chǎng)效應(yīng)管和p溝道場(chǎng)效應(yīng)管能互換嗎

可以互換，但是要確保它們的參數(shù)（如電壓、電流、功率等）相同，否則可能會(huì)導(dǎo)致電路故障。

場(chǎng)效應(yīng)管的代換規(guī)則

1、場(chǎng)效應(yīng)管的代換只需大小相同，分清N溝道和P溝道即可。

2、場(chǎng)效應(yīng)管的代換中，功率大的場(chǎng)效應(yīng)管可以代換功率小的場(chǎng)效應(yīng)管。

3、場(chǎng)效應(yīng)管的代換中，最好原值代換。

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