場效應管的作用介紹，MOS管的作用解析

場效應管是具有源極 (S)、柵極 (G)、漏極 (D) 和體 (B) 端子的四端子器件。通常，場效應管的主體與源極端子相連，從而形成三端器件，例如場效應晶體管。場效應管通常被認為是一種晶體管，并用于模擬和數(shù)字電路。

場效應管的一般結構如下所示：

場效應管的作用

場效應管最重要的一個作用是作開關作用，作開關時候多數(shù)應用于各類電子負載控制、開關電源開關管，MOS管最顯著的特性是開關特性好，對于NMOS來說，Vgs大于一定的值就會導通，適合用于源極接地時的情況，也就是所謂的低端驅動，只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。而對于PMOS來說，Vgs小于一定的值就會導通，適合用于源極接VCC時的情況，也就是高端驅動。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅動，但由于導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅動中，通常還是使用NMOS。

如下圖是某開關電源其中一部分電路圖，在這里的Q1場效應管用作PWM調(diào)制器或開關穩(wěn)壓控制器的功率開關管。

放大作用：場效應晶體管可應用于放大。

場效應晶體管可以用作可變電阻。

場效應晶體管可以方便地用作恒流源。

場效應管作為電子開關

場效應晶體管可以用作電子開關。

阻抗變換：場效應晶體管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。

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