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2023-05-25 瀏覽:-電路分析:PMOS開關(guān)電路介紹
概述
負(fù)載開關(guān)電路日常應(yīng)用比較廣泛,主要用來(lái)控制后級(jí)負(fù)載的電源開關(guān)。此功能可以直接用IC也可以用分立器件搭建,分立器件主要用PMOS加三極管實(shí)現(xiàn)。本文主要討論分立器件的實(shí)現(xiàn)的細(xì)節(jié)。
電路分析
如下圖所示R5模擬后級(jí)負(fù)載,Q1為開關(guān),當(dāng)R3端口的激勵(lì)源為高電平時(shí),Q2飽和導(dǎo)通,MOS管Q1的VGS
提出問(wèn)題
當(dāng)Q1導(dǎo)通上電瞬間電容兩端電壓不能突變會(huì)出現(xiàn)很高的沖擊電流。此電流很可能會(huì)損壞MOS管或者觸發(fā)前級(jí)電源的過(guò)流保護(hù),所以此沖擊電流并不是我們想要的。接下來(lái)給R3端口加單脈沖激勵(lì)源,觀察Q1(D)處的沖擊電流。
通過(guò)仿真觀察電流記錄數(shù)據(jù)圖表發(fā)現(xiàn)Q1(D)處的電流峰值為約20A,穩(wěn)態(tài)電流為1A。峰值較大給電路造成很大壓力,接下來(lái)我們要想辦法將此沖擊電流降下來(lái),保障電路的安全。
故障分析
MOS的可以等效成下圖右側(cè)的電路模型,
輸入電容Ciss=Cgs+Cgd,
輸出電容Coss=Cgd+Cds,
反向傳輸電容Crss=Cgd,也叫米勒電容
MOS的啟動(dòng)波形
t0—t1階段
這個(gè)過(guò)程中,驅(qū)動(dòng)電流ig為Cgs充電,Vgs上升,Vds和Id保持不變。一直到t1時(shí)刻,Vgs上升到閾值開啟電壓Vg(th)在t1時(shí)刻以前,MOS處于截止區(qū)。
t1—t2階段
t1時(shí)刻,MOS管開始導(dǎo)通,Id開始上升了。這個(gè)時(shí)間段內(nèi)驅(qū)動(dòng)電流仍然是為Cgs充電,Id逐漸上升,在上升的過(guò)程中Vds會(huì)稍微有一些下降,這是因?yàn)橄陆档膁i/dt在雜散電感上面形成一些壓降。
t2—t3階段
從t2時(shí)刻開始,進(jìn)入米勒平臺(tái)時(shí)期,米勒平臺(tái)就是Vgs在一段時(shí)間幾乎維持不動(dòng)的一個(gè)平臺(tái)。此時(shí)漏電流Id最大。且Vgs的驅(qū)動(dòng)電流轉(zhuǎn)移給Cgd充電,Vgs出現(xiàn)了米勒平臺(tái),Vgs電壓維持不變,然后Vds就開始下降了。
t3~t4階段
當(dāng)米勒電容Cgd充滿電時(shí),Vgs電壓繼續(xù)上升,直至MOS管完全導(dǎo)通。
從上述周期看出MOS管開啟過(guò)程主要受Cgs和Cgd共同影響。如果延長(zhǎng)開啟過(guò)程主要是延長(zhǎng)t1—t2階段和t2—t3階段,在負(fù)載確定的情況下主要是增大Cgs和Cgd等效電容來(lái)實(shí)現(xiàn)。
仿真實(shí)踐
在原有電路中加入C3和C4 100nF電容
仿真得出啟動(dòng)時(shí)電流波形為,其中紅線為Q1的Vgs波形綠線為C4(1)測(cè)到的啟動(dòng)電流波形
明顯對(duì)比之前不加C3、C4電容時(shí)啟動(dòng)沖擊電流波形峰值下降,開通時(shí)間變長(zhǎng),并且尖峰后移。
調(diào)整C3和C4的值為1000nf時(shí),效果更加明顯
實(shí)驗(yàn)結(jié)論
實(shí)驗(yàn)得出增加MOS的Cgs和Cgd可實(shí)現(xiàn)開通緩啟動(dòng)功能,保護(hù)MOS不受到?jīng)_擊損壞。
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