FIR5N50LG,TO-252,中文參數(shù),引腳圖,規(guī)格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微

FIR5N50LG中文參數(shù),FIR5N50LG封裝引腳圖,FIR5N50LG數(shù)據(jù)手冊,MOS管選型替代(生產(chǎn)廠家)

FIR5N50LG場效應管封裝TO-251,TO-252

一般說明

FIR5N50BPG,LG硅N溝道增強型VDMOSFET，采用自對準平面技術(shù)獲得，可降低傳導損耗，提高開關(guān)性能并增強雪崩能量。 該晶體管可用于系統(tǒng)的各種電源開關(guān)電路小型化和更高的效率。 封裝形式為符合RoHS標準的TO-251。

特征

· 快速切換

· 低導通電阻（Rdson≤1.5）

· 低柵極電荷（典型數(shù)據(jù)：12.6nC）

· 低反向傳輸電容（典型值：4pF） l100%單脈沖雪崩能量測試

絕對最大額定值（TC=25°C，除非另有說明）

漏源電壓(VDSS)：500V

柵源電壓(VGSS)：±30V

漏極電流-連續(xù)(ID)：5A

漏極電流-連續(xù)(TJ=100°C)(ID)：3.1A

漏極電流-脈沖(IDM)：20A

單脈沖雪崩能量(EAS)：250mJ

二極管恢復峰值(dv/dt)：5.0V/ns

功耗(PD)：75W

功耗TC=25°C以上(PD)：0.60W

工作與貯存溫度范圍(TJ,TSTG)：150,-55~150°С

熱阻-結(jié)到外殼(RθJC)：1.67°C/W

熱阻-結(jié)到環(huán)境(RθJA)：100°C/W

焊接的最高引線溫度(TL)：300°С

電氣特性

源漏二極管特性

封裝規(guī)格

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