SVF3N50D參數(shù),中文資料,規(guī)格書 - 場(chǎng)效應(yīng)MOS管 - 壹芯微

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SVF3N50D場(chǎng)效應(yīng)管封裝TO-252,TO-251

描述

SVF3N50D/MJ,N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用F-CellTM平面高壓VDMOS工藝技術(shù)制造。先進(jìn)的工藝及原胞結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開關(guān)性能及很高 的雪崩擊穿耐量。 該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于AC-DC開關(guān)電源，DC-DC電源轉(zhuǎn)換器，高壓H橋PWM馬達(dá)驅(qū)動(dòng)。

特性
3A，500V，RDS(on)(典型值)=2.7?@VGS=10V

· 低柵極電荷量

· 低反向傳輸電容

· 開關(guān)速度快

· 提升了dv/dt能力

絕對(duì)最大額定值（TC=25°C，除非另有說明）

漏源電壓(VDSS)：500V

柵源電壓(VGSS)：±30V

漏極電流-連續(xù)(TJ=25°C)(ID)：3.0A

漏極電流-連續(xù)(TJ=100°C)(ID)：1.9A

漏極電流-脈沖(IDM)：12.0A

單脈沖雪崩能量(EAS)：120mJ

功耗(TC=25°C)(PD)：34W

工作與貯存溫度范圍(TJ,TSTG)：-55~+150°С

熱阻-結(jié)到外殼(RθJC)：3.7°C/W

熱阻-結(jié)到環(huán)境(RθJA)：62.0°C/W

熱阻特性

電氣參數(shù)

漏源二極管特性參數(shù)

封裝外形圖

〔壹芯微〕國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體制造廠商，主營(yíng)各類貼片與直插，二極管、三極管、MOS(場(chǎng)效應(yīng)管)、可控硅、三端穩(wěn)壓管、整流橋，IC(集成電路)；參數(shù)達(dá)標(biāo)，質(zhì)量保障，工廠直銷(價(jià)省20%)，免費(fèi)送樣，選型替代，技術(shù)支持，專業(yè)售后，如需了解產(chǎn)品詳情或最新報(bào)價(jià)，歡迎咨詢官網(wǎng)在線客服。

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