功率MOSFET的開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程原理

（1）：開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程實(shí)驗(yàn)電路

（2）：MOSFET 的電壓和電流波形：

（3）：開(kāi)關(guān)過(guò)程原理：

開(kāi)通過(guò)程[ t0 ~ t4 ]：

在 t0 前，MOSFET 工作于截止?fàn)顟B(tài)，t0 時(shí)，MOSFET 被驅(qū)動(dòng)開(kāi)通；

[t0-t1]區(qū)間，MOSFET 的GS 電壓經(jīng)Vgg 對(duì)Cgs充電而上升，在t1時(shí)刻，到達(dá)維持電壓Vth，MOSFET 開(kāi)始導(dǎo)電；

[t1-t2]區(qū)間，MOSFET 的DS 電流增加，Millier 電容在該區(qū)間內(nèi)因DS 電容的放電而放電，對(duì)GS 電容的充電影響不大；

[t2-t3]區(qū)間，至t2 時(shí)刻，MOSFET 的DS 電壓降至與Vgs 相同的電壓，Millier 電容大大增加，外部驅(qū)動(dòng)電壓對(duì)Millier 電容進(jìn)行充電，GS 電容的電壓不變，Millier 電容上電壓增加，而DS電容上的電壓繼續(xù)減小；

[t3-t4]區(qū)間，至t3 時(shí)刻，MOSFET 的DS 電壓降至飽和導(dǎo)通時(shí)的電壓，Millier 電容變小并和GS 電容一起由外部驅(qū)動(dòng)電壓充電，GS 電容的電壓上升，至t4 時(shí)刻為止。此時(shí)GS 電容電壓已達(dá)穩(wěn)態(tài)，DS 電壓也達(dá)最小，即穩(wěn)定的通態(tài)壓降。

關(guān)斷過(guò)程[ t5 ~t9  ]：

在 t5 前，MOSFET 工作于導(dǎo)通狀態(tài)， t5 時(shí)，MOSFET 被驅(qū)動(dòng)關(guān)斷；

[t5-t6]區(qū)間，MOSFET 的Cgs 電壓經(jīng)驅(qū)動(dòng)電路電阻放電而下降，在t6 時(shí)刻，MOSFET 的通態(tài)電阻微微上升，DS 電壓梢稍增加，但DS 電流不變；

[t6-t7]區(qū)間，在t6 時(shí)刻，MOSFET 的Millier 電容又變得很大，故GS 電容的電壓不變，放電電流流過(guò)Millier 電容，使DS 電壓繼續(xù)增加；

[t7-t8]區(qū)間，至t7 時(shí)刻，MOSFET 的DS 電壓升至與Vgs 相同的電壓，Millier 電容迅速減小，GS 電容開(kāi)始繼續(xù)放電，此時(shí)DS 電容上的電壓迅速上升，DS 電流則迅速下降；

[t8-t9]區(qū)間，至t8 時(shí)刻，GS 電容已放電至Vth，MOSFET 完全關(guān)斷；該區(qū)間內(nèi)GS 電容繼續(xù)放電直至零。

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