壹芯微 MOS(場效應管) HY1910D N溝道 100V,67A 貼片TO-252多種封裝

HY1910D場效應管參數(shù)及代換,HY1910D封裝引腳圖,HY1910D中文資料規(guī)格書下載

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HY1910D場效應管參數(shù)如下：

極性：NPN

Drain-Source Voltage漏源電壓 V_DSS：100V

Gate Source Voltage柵源電壓 V_GSS：±20V

Continuous Drain Current漏極電流連續(xù)(T_C+25°C) I_D：67A

Continuous Drain Current漏極電流連續(xù)(T_C+100°C) I_D：47A

Power Dissipation功耗(T_C+25°C) P_D：104W

Power Dissipation功耗(T_C+100°C) P_D：52W

Maximum Junction Temperature最高結溫 T_J：175°C

Storage Temperature Range儲存溫度 T_STG：-55~175°C

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