壹芯微 MOS(場效應(yīng)管) HY3010D N溝道 100V,60A 貼片TO-252多種封裝

HY3010D場效應(yīng)管參數(shù)及代換,HY3010D封裝引腳圖,HY3010D中文資料規(guī)格書下載

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HY3010D場效應(yīng)管參數(shù)如下：

極性：NPN

Drain-Source Voltage漏源電壓 V_DSS：100V

Gate Source Voltage柵源電壓 V_GSS：±25V

Continuous Drain Current漏極電流連續(xù)(T_C+25°C) I_D：60A

Continuous Drain Current漏極電流連續(xù)(T_C+100°C) I_D：45A

Power Dissipation功耗(T_C+25°C) P_D：65W

Power Dissipation功耗(T_C+100°C) P_D：33W

Maximum Junction Temperature最高結(jié)溫 T_J：175°C

Storage Temperature Range儲存溫度 T_STG：-55~175°C

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【壹芯微】半導(dǎo)體功率器件制造廠商，專業(yè)研發(fā)生產(chǎn)與銷售：二極管/三極管/MOS場效應(yīng)管/橋堆等，20年生產(chǎn)經(jīng)驗，始終堅信質(zhì)量就是生命，除提供免費試樣外，更可根據(jù)客戶需求進(jìn)行量身定制產(chǎn)品選型，直接百度搜索“壹芯微”即可找到我們，如需咨詢產(chǎn)品或遇到需要幫助解決的問題，歡迎咨詢官網(wǎng)在線客服，或留言并留下聯(lián)系方式，我們將為您轉(zhuǎn)接銷售業(yè)務(wù)或工程師為您解答。

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