分段DAC

當(dāng)我們需要設(shè)計(jì)一個(gè)具有特定性能的DAC時(shí)，很可能沒(méi)有任何一種架構(gòu)是理想的。這種情況下，可以將兩個(gè)或更多DAC組合成一個(gè)更高分辨率的DAC，以獲得所需的性能。這些DAC可以是同一類(lèi)型，也可以是不同類(lèi)型，各DAC的分辨率無(wú)需相同。

原則上，一個(gè)DAC處理MSB，另一個(gè)DAC處理LSB，其輸出以某種方式相加。這一過(guò)程稱(chēng)為“分段”，這些更復(fù)雜的結(jié)構(gòu)稱(chēng)為“分段DAC”。有許多不同類(lèi)型的分段DAC，本指南不可能逐一說(shuō)明，但會(huì)介紹其中的幾種。

圖1顯示了兩類(lèi)分段電壓輸出DAC。圖1A中的架構(gòu)有時(shí)稱(chēng)為Kelvin-Varley分壓器，由兩個(gè)或更多“串DAC”組成。第一級(jí)與第二級(jí)之間存在緩沖器，因此第二個(gè)串DAC不會(huì)加載第一個(gè)串DAC，該串中的電阻值無(wú)需與另一個(gè)串中的電阻值相同。然而，各串中的所有電阻必須彼此相等，否則DAC將不是線(xiàn)性的。示例的第一級(jí)和第二級(jí)均為3位，但為了具有普遍意義，我們稱(chēng)第一(MSB)級(jí)的分辨率為M位，第二(LSB)級(jí)的分辨率為K位，總分辨率為N = M + K位。MSB DAC具有2M個(gè)等值電阻，LSB DAC具有2K個(gè)等值電阻。

圖1：分段式電壓-輸出DAC

當(dāng)然，緩沖放大器具有失調(diào)，這可能會(huì)在緩沖分段串DAC中造成非單調(diào)性。在緩沖Kelvin-Varley分壓器緩沖器的更簡(jiǎn)單配置中（圖1A），緩沖器A總是“低于”（電位低于）緩沖器B，LSB串DAC上標(biāo)“A”的額外抽頭是不必要的。數(shù)據(jù)解碼電路僅為兩個(gè)優(yōu)先級(jí)編碼器。然而，在此配置中，緩沖器失調(diào)可能會(huì)造成非單調(diào)性。

但是，如果將MSB串DAC的解碼電路做得更復(fù)雜一點(diǎn)，使得緩沖器A只能連接到MSB串DAC標(biāo)“A”的抽頭，緩沖器B只能連接到標(biāo)“B”的抽頭，則緩沖器失調(diào)將無(wú)法造成非單調(diào)性。當(dāng)然，LSB串DAC解碼必須改變方向, 緩沖器需要跳躍連接到另一端，LSB串DAC的抽頭A和B不需要交替，但這需要略微復(fù)雜一點(diǎn)的邏輯，而性能的提高證明這樣做是值得的。

也可以不使用第二個(gè)電阻串，而是使用一個(gè)二進(jìn)制DAC來(lái)產(chǎn)生三個(gè)LSB，如圖1B所示。制造極高分辨率的R-2R梯形電阻網(wǎng)絡(luò)非常困難，更確切地說(shuō)，很難將其調(diào)整為單調(diào)性。因此，常見(jiàn)的情況是LSB使用由梯形電阻網(wǎng)絡(luò)，2到5個(gè)MSB則使用其它結(jié)構(gòu)來(lái)合成高分辨率DAC。圖1B所示的電壓輸出DAC由一個(gè)3位串DAC和一個(gè)3位緩沖電壓模式梯形電阻網(wǎng)絡(luò)組成。

圖2：分段無(wú)緩沖串DAC使用專(zhuān)利架構(gòu)

無(wú)緩沖的分段串DAC架構(gòu)如圖2所示。在原理上，這種形式更巧妙，并且可以通過(guò)CMOS工藝制造（它能制造電阻和開(kāi)關(guān)，但不能制造放大器），因此也更便宜。這種架構(gòu)本身即具備單調(diào)性。

本例中，兩個(gè)串中的電阻必須等值，唯一的例外是MSB串中的頂端電阻必須較小（其它電阻值的1/2K），此外LSB串具有2K – 1個(gè)電阻，而不是2K個(gè)。由于沒(méi)有緩沖器，LSB串看起來(lái)像是與它切換并加載的MSB串中的電阻并聯(lián)，這就使得該MSB電阻上的電壓降低LSB串 DAC的1 LSB，而這正是所需要的結(jié)果。由于無(wú)緩沖，此DAC的輸出阻抗隨著數(shù)字代碼的改變而變化。

為了更好地了解這一巧妙的原理，對(duì)于圖2所示的由兩個(gè)3位串DAC組成的6位分段DAC，我們計(jì)算并標(biāo)示出了各抽頭的實(shí)際電壓。建議讀者將第二個(gè)串DAC連接到第一個(gè)串DAC中的任何其它電阻兩端，完成這一簡(jiǎn)單的分析過(guò)程并驗(yàn)證結(jié)果。關(guān)于無(wú)緩沖分段串DAC的詳細(xì)數(shù)學(xué)分析，請(qǐng)參閱ADI公司的Dennis Dempsey和Christopher Gorman于1997年申請(qǐng)的相關(guān)專(zhuān)利（參考文獻(xiàn)1）。

適合視頻、通信和其它高頻重構(gòu)應(yīng)用的極高速DAC常常采用完全解碼電流源陣列來(lái)構(gòu)建，兩或三個(gè)LSB可以使用二進(jìn)制加權(quán)電流源。此類(lèi)DAC在高頻時(shí)的失真非常低，這一點(diǎn)極其重要，而且設(shè)計(jì)中還有幾個(gè)重要問(wèn)題需要考慮。

首先，電流不是接通或關(guān)閉，而是被導(dǎo)向一個(gè)地方或另一個(gè)地方。在高速運(yùn)行時(shí)，關(guān)閉電流常常會(huì)引起感性尖峰，由于電容充電，它一般需要比電流導(dǎo)向更長(zhǎng)的時(shí)間。

其次，芯片上開(kāi)關(guān)電流所需的電壓變化應(yīng)盡可能小。電壓變化會(huì)導(dǎo)致更多電荷流入雜散電容，電荷耦合的毛刺也會(huì)更大。

最后，解碼必須在新數(shù)據(jù)應(yīng)用到DAC之前完成，使得所有數(shù)據(jù)均已就緒，可以同時(shí)應(yīng)用到DAC中的所有開(kāi)關(guān)。其實(shí)現(xiàn)方式一般是對(duì)一個(gè)完全解碼陣列中的各個(gè)開(kāi)關(guān)使用獨(dú)立的并聯(lián)鎖存器。如果所有開(kāi)關(guān)瞬間同時(shí)改變狀態(tài)，就不會(huì)有偏斜毛刺。只要精心設(shè)計(jì)芯片周?chē)膫鞑パ舆t以及開(kāi)關(guān)電阻和雜散電容的時(shí)間常數(shù)，就能非常好地實(shí)現(xiàn)更新同步機(jī)制，因而毛刺相關(guān)的失真將非常小。

圖3顯示了分段電流輸出DAC結(jié)構(gòu)的兩個(gè)例子。圖3A所示為利用電阻方法實(shí)現(xiàn)7位DAC，其中3個(gè)MSB通過(guò)完全解碼獲得，4個(gè)LSB來(lái)自一個(gè)R-2R網(wǎng)絡(luò)。圖3B所示為使用電流源的類(lèi)似實(shí)現(xiàn)方案。對(duì)于當(dāng)今的高速重構(gòu)DAC，電流源方案是目前最受歡迎的實(shí)現(xiàn)方法。

圖3：分段電流輸出DAC: (A)電阻方案；(B)電流源方案

此外，常常也需要利用多個(gè)完全解碼DAC來(lái)構(gòu)成整個(gè)DAC。圖4所示的6位DAC由兩個(gè)完全解碼3位DAC構(gòu)成。如前所述，為使輸出毛刺最小，必須利用并聯(lián)鎖存器同時(shí)驅(qū)動(dòng)這些電流開(kāi)關(guān)。

圖4：基于兩個(gè)3位溫度計(jì)DAC的6位電流輸出分段DAC

AD977514位160 MSPS（輸入）/400 MSPS（輸出）TxDAC®使用三段，如圖5所示。AD977x系列的其它產(chǎn)品和AD985x系列也使用同樣的基本內(nèi)核。

圖5：AD9775 TxDAC® 14位CMOS DAC內(nèi)核

前5位(MSB)為完全解碼型，驅(qū)動(dòng)31個(gè)同等權(quán)重的電流開(kāi)關(guān)，各開(kāi)關(guān)提供512 LSB的電流。后續(xù)4位解碼為15條線(xiàn)，驅(qū)動(dòng)15個(gè)電流開(kāi)關(guān)，各開(kāi)關(guān)提供32 LSB的電流。最后5個(gè)LSB位被鎖存，并驅(qū)動(dòng)一個(gè)傳統(tǒng)二進(jìn)制加權(quán)DAC，該DAC針對(duì)每個(gè)輸出電平提供1 LSB。為了實(shí)現(xiàn)這種超低毛刺架構(gòu)，總共需要51個(gè)電流開(kāi)關(guān)和鎖存器。

TxDAC系列中的基本電流開(kāi)關(guān)單元由圖6所示的差分PMOS晶體管對(duì)組成。這些差分對(duì)通過(guò)低電平邏輯驅(qū)動(dòng)，以便最大程度地降低開(kāi)關(guān)瞬變和時(shí)間偏斜。DAC輸出為對(duì)稱(chēng)的差分電流，有助于減少偶數(shù)階失真產(chǎn)物（特別是驅(qū)動(dòng)變壓器或運(yùn)放差分電流電壓轉(zhuǎn)換器等差分輸出時(shí)）。

AD977x TxDAC®系列和AD985x-DDS系列的總體架構(gòu)實(shí)現(xiàn)了功耗與性能的出色平衡，通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝就可以實(shí)現(xiàn)完整的DAC功能，無(wú)需薄膜電阻。

圖6：PMOS晶體管電流開(kāi)關(guān)

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