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來源：壹芯微 發(fā)布日期
2021-12-20 瀏覽：-JCS5N50RT場效應(yīng)管參數(shù) JCS5N50RT參數(shù)資料規(guī)格書〔壹芯微〕
JCS5N50RT參數(shù)資料,選型替代,JCS5N50RT封裝引腳圖,數(shù)據(jù)手冊,MOS管生產(chǎn)廠家
漏源電壓(VDSS)：500V
柵源電壓(VGSS)：±30V
雪崩電流(IAR)：5A
漏極電流-連續(xù)(TJ=25°C)(ID)：5A
漏極電流-連續(xù)(TJ=100°C)(ID)：3.16A
漏極電流-脈沖(IDM)：20A
單脈沖雪崩能量(EAS)：305mJ
重復雪崩能量(EAR)：10.1mJ
二極管恢復峰值(dv/dt)：4.5V/ns
功耗(TC=25°C)(PD)：91W
工作與貯存溫度范圍(TJ,TSTG)：-55~+150°С
〔壹芯微〕國內(nèi)功率半導體制造廠商，主營各類貼片與直插，二極管、三極管、MOS(場效應(yīng)管)、可控硅、三端穩(wěn)壓管、整流橋，IC(集成電路)；參數(shù)達標，質(zhì)量保障，工廠直銷(價省20%)，免費送樣，選型替代，技術(shù)支持，專業(yè)售后，如需了解產(chǎn)品詳情或最新報價，歡迎咨詢官網(wǎng)在線客服。
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