來源：壹芯微 發布日期
2021-12-20 瀏覽：-TK5P50D場效應管參數 TK5P50D參數資料規格書〔壹芯微〕
TK5P50D參數資料,選型替代,TK5P50D封裝引腳圖,數據手冊,MOS管生產廠家
漏源電壓(VDSS)：500V
柵源電壓(VGSS)：±30V
雪崩電流(IAR)：2A
漏極電流-連續(TJ=25°C)(ID)：2.8A
漏極電流-連續(TJ=100°C)(ID)：1.8A
漏極電流-脈沖(IDM)：9A
單脈沖雪崩能量(EAS)：120mJ
重復雪崩能量(EAR)：60mJ
二極管恢復峰值(dv/dt)：50V/ns
功耗(TC=25°C)(PD)：57W
工作與貯存溫度范圍(TJ,TSTG)：-55~150°С
熱阻-結到外殼(RθJC)：2.2°C/W
熱阻-結到環境(RθJA)：55°C/W
焊接的最高引線溫度(TL)：300°С
〔壹芯微〕國內功率半導體制造廠商，主營各類貼片與直插，二極管、三極管、MOS(場效應管)、可控硅、三端穩壓管、整流橋，IC(集成電路)；參數達標，質量保障，工廠直銷(價省20%)，免費送樣，選型替代，技術支持，專業售后，如需了解產品詳情或最新報價，歡迎咨詢官網在線客服。
手機號/微信：13534146615
QQ：2881579535(點擊可咨詢)
工廠地址：安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址：深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址：中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
杭州辦事處：杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
電話：13534146615
企業QQ：2881579535
深圳市壹芯微科技有限公司 版權所有 | 備案號：粵ICP備2020121154號
