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        AOD3N50場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù) AOD3N50參數(shù)資料規(guī)格書〔壹芯微〕

        返回列表來源:壹芯微 發(fā)布日期 2021-12-16 瀏覽:-

        AOD3N50場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù) AOD3N50參數(shù)資料規(guī)格書〔壹芯微〕

        AOD3N50參數(shù)資料,選型替代,AOD3N50封裝引腳圖,數(shù)據(jù)手冊(cè),MOS管生產(chǎn)廠家

        AOD3N50,TO-252

        漏源電壓(VDSS):500V

        柵源電壓(VGSS):±30V

        雪崩電流(IAR):2A

        漏極電流-連續(xù)(TJ=25°C)(ID):2.8A

        漏極電流-連續(xù)(TJ=100°C)(ID):1.8A

        漏極電流-脈沖(IDM):9A

        單脈沖雪崩能量(EAS):120mJ

        重復(fù)雪崩能量(EAR):60mJ

        二極管恢復(fù)峰值(dv/dt):50V/ns

        功耗(TC=25°C)(PD):57W

        工作與貯存溫度范圍(TJ,TSTG):-55~150°С

        熱阻-結(jié)到外殼(RθJC):2.2°C/W

        熱阻-結(jié)到環(huán)境(RθJA):55°C/W

        焊接的最高引線溫度(TL):300°С

        AOD3N50參數(shù)

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