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來源：壹芯微 發(fā)布日期
2021-12-16 瀏覽：-RJK5030DPD場效應(yīng)管參數(shù) RJK5030DPD參數(shù)資料規(guī)格書〔壹芯微〕
RJK5030DPD參數(shù)資料,選型替代,RJK5030DPD封裝引腳圖,數(shù)據(jù)手冊,MOS管生產(chǎn)廠家
漏源電壓VDSS：500V
柵源電壓VGSS：30V
漏極電流ID：5A
漏極峰值電流ID(脈沖)：20A
雪崩電流IAP：5A
通道耗散Pch：41.7W
通道到外殼的熱阻抗符號θch-c：3.0C/W
通道溫度Tch：150C
儲存溫度Tstg：-55至+150C
〔壹芯微〕國內(nèi)功率半導(dǎo)體制造廠商，主營各類貼片與直插，二極管、三極管、MOS(場效應(yīng)管)、可控硅、三端穩(wěn)壓管、整流橋，IC(集成電路)；參數(shù)達(dá)標(biāo)，質(zhì)量保障，工廠直銷(價省20%)，免費送樣，選型替代，技術(shù)支持，專業(yè)售后，如需了解產(chǎn)品詳情或最新報價，歡迎咨詢官網(wǎng)在線客服。
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