靜電感應(yīng)晶體管原理介紹

靜電感應(yīng)晶體管（SIT）是什么

它是一種多子導(dǎo)電的單極型器件，通過(guò)檢測(cè)外部靜電場(chǎng)的變化來(lái)控制電路的開(kāi)關(guān)。當(dāng)外部靜電場(chǎng)發(fā)生變化時(shí)，晶體管內(nèi)部的電子流會(huì)發(fā)生變化，從而改變晶體管的電阻值，從而控制電路的開(kāi)關(guān)，具有輸出功率大、輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)特性好、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。

靜電感應(yīng)晶體管（Static Indution Transistor，SIT） 是由日本東北大學(xué)西澤潤(rùn)一教授提出的，于上世紀(jì)七十年代初期由日本研制成功12］。SIT是靜電感應(yīng)器件的一種，也是唯一具有類真空三極管特性的半導(dǎo)體器件1［13），分為常開(kāi)型和常關(guān)型。SIT具有節(jié)能和低功耗的優(yōu)勢(shì)，被廣泛應(yīng)用于高頻感應(yīng)加熱、超聲波清洗、大型電源等領(lǐng)域。

常見(jiàn)的靜電感應(yīng)晶體管型號(hào)有2N3819、2N3904、2N3906、2N4401、2N4403、2N5401、2N5551等。

靜電感應(yīng)晶體管（SIT）原理：SIT為常開(kāi)器件，即柵源電壓為零時(shí)，SIT導(dǎo)通;當(dāng)加上負(fù)柵源電壓UGS時(shí)，柵源間PN結(jié)產(chǎn)生（ch δ nshe ng）耗盡層。隨著負(fù)偏壓UGS的增加，其耗盡層加寬，漏源間導(dǎo)電溝道變窄。當(dāng)UGS=UP（夾斷電壓）時(shí)，導(dǎo)電溝道被耗盡層所夾斷，SIT關(guān)斷。SIT的漏極電流ID不但受柵極電壓UGS控制，同時(shí)還受漏極電壓UDS控制。

和雙極型晶體管相比，SIT具有以下的優(yōu)點(diǎn)：

（1）線性好、噪聲小。用SIT制成的功率放大器，在音質(zhì)、音色等方面均優(yōu)于雙極型晶體管。

（2）輸入阻抗高、輸出阻抗低，可直接構(gòu)成OTL電路。

（3）SIT是一種無(wú)基區(qū)晶體管，沒(méi)有基區(qū)少數(shù)載流子存儲(chǔ)效應(yīng)，開(kāi)關(guān)速度快。

（4）它是一種多子器件，在大電流下具有負(fù)溫度系數(shù)，器件本身有溫度自平衡作用，抗燒毀能力強(qiáng)。

（5）無(wú)二次擊穿效應(yīng)，可靠性高。

（6）抗輻照能力比雙極晶體管高50倍以上。

靜電感應(yīng)晶體管的制作工藝介紹

靜電感應(yīng)晶體管的制作工藝主要包括晶體管的制備、晶體管的封裝、晶體管的測(cè)試和晶體管的安裝等步驟。

首先，晶體管的制備需要將原材料進(jìn)行熔融，然后將熔融的原材料放入模具中，再將模具中的原材料進(jìn)行熱處理，最后將熱處理后的原材料切割成晶體管。

接下來(lái)，晶體管的封裝需要將晶體管放入封裝模具中，然后將封裝模具中的晶體管進(jìn)行熱處理，最后將熱處理后的晶體管封裝成完整的晶體管。

接著，晶體管的測(cè)試需要使用測(cè)試儀器對(duì)晶體管進(jìn)行測(cè)試，以確保晶體管的性能符合要求。最后，晶體管的安裝需要將晶體管安裝在電路板上，以便晶體管能夠正常工作。

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