一、晶體管相較于電子管，具備諸多優(yōu)勢(shì)，主要可歸納為以下三大類：

1. 維護(hù)便捷：電子管因陰極原子變化和漏氣問(wèn)題而漸漸退化，而晶體管則因技術(shù)進(jìn)步及改進(jìn)，在壽命上有了明顯提升。這種免維護(hù)的特性使得晶體管在長(zhǎng)期使用中更加可靠。

2. 低功耗：晶體管的功耗遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于電子管，僅為其十分之一甚至更低。相較于電子管需要通過(guò)加熱燈絲產(chǎn)生自由電子，晶體管則只需幾個(gè)干電池即可維持較長(zhǎng)時(shí)間的運(yùn)行。這一優(yōu)勢(shì)使得晶體管在電子設(shè)備設(shè)計(jì)中得到廣泛應(yīng)用，尤其是對(duì)電池供電設(shè)備。

3. 快速啟動(dòng)：與電子管需要預(yù)熱不同，晶體管可以立即啟動(dòng)工作，無(wú)需等待預(yù)熱時(shí)間。這一特性使得晶體管在一些對(duì)啟動(dòng)速度要求較高的場(chǎng)合中特別受歡迎，如軍事和測(cè)量領(lǐng)域。

二、判斷和計(jì)算方面，針對(duì)晶體管的特性，有以下幾點(diǎn)需要注意：

1. 基極和管型的確認(rèn)：通過(guò)測(cè)量電阻值的方式可以判斷晶體管的基極和管型。這種方法簡(jiǎn)單易行，對(duì)于基礎(chǔ)的晶體管識(shí)別非常有效。

2. 集電極的確定：對(duì)于三極管，正確連接發(fā)射極和集電極時(shí)，放大系數(shù)較大。通過(guò)捏住基極和假設(shè)的集電極的方式，可以幫助確認(rèn)集電極和發(fā)射極的位置。

3. 電流放大系數(shù)β的估算：通過(guò)測(cè)量不同工作狀態(tài)下的電阻值變化，可以估算出晶體管的電流放大系數(shù)β。這對(duì)于進(jìn)一步理解晶體管的工作特性具有重要意義。

三、針對(duì)MOS晶體管，有一些特殊的工作參數(shù)需要關(guān)注：

1. 最高工作頻率：對(duì)于MOS晶體管而言，最高工作頻率與柵極輸入電容CGC的充放電電流和漏源交流電流的關(guān)系密切相關(guān)。了解這一參數(shù)有助于優(yōu)化MOS晶體管的工作性能。

2. 跨導(dǎo)gm：MOS晶體管的跨導(dǎo)gm衡量了其對(duì)VGS的控制能力，在設(shè)計(jì)電路時(shí)需要考慮這一參數(shù)以保證性能穩(wěn)定。

3. 閾值電壓：MOS晶體管的閾值電壓與多種因素相關(guān)，了解其影響因素有助于更好地設(shè)計(jì)和使用MOS晶體管。