壹芯微研發(fā)生產(chǎn)直銷「MBR40150CT/FCT」雙二極管，V_RRM:150V，I_F(AV):40A，封裝TO-220/TO-220F/TO-263/TO-247，高質(zhì)量，高標(biāo)準(zhǔn)，選型定制，樣品申請(qǐng)，在線詢價(jià)

壹芯微18年專注各式優(yōu)質(zhì)二三極管，MOSFET，橋堆等電子元器件研發(fā)/生產(chǎn)/銷售一體化服務(wù)。世界500強(qiáng)長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作伙伴，10000+電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用，工廠直銷節(jié)省20%，參數(shù)達(dá)標(biāo)，質(zhì)量穩(wěn)定，使用壽命長(zhǎng)；提供選型定制|技術(shù)支持|售后服務(wù)

MBR40150CT.數(shù)據(jù)表(PDF):查看下載

(40A肖特基勢(shì)壘整流器)

主要參數(shù)

VRRM(Vpk): 150

IF(A_AV): 40

IFM(Surge)(Apk): 400

IR@VRRM(UAds): 5.0

VF@IF(Apk): 40

VE@IF(Vpk): 0.90

PAKAGE: TO-220/TO-220F/TO-263/TO-247

產(chǎn)品描述

MBR系列肖特基勢(shì)壘整流器是旨在滿足商業(yè)的一般要求通過(guò)提供高溫、低泄漏的應(yīng)用和低VF產(chǎn)品。適用于高頻開(kāi)關(guān)電源電源、續(xù)流二極管和極性保護(hù)二極管。

產(chǎn)品特性

低功耗，高效率。

高浪涌容量

用于低壓、高頻逆變器、續(xù)流和極性保護(hù)應(yīng)用。

金屬硅結(jié)，多數(shù)載流子傳導(dǎo)。

高電流能力，低正向壓降。

保護(hù)環(huán)用于過(guò)壓保護(hù)。

肖特基勢(shì)壘

肖特基勢(shì)壘金屬及n型半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)如圖8-2[a]所示。金屬的功函數(shù)大于半導(dǎo)體的功函數(shù)，即Wm＞W(wǎng)s。半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)高于金屬的費(fèi)米能級(jí)，即EFs＞EFm，它們具有共同的真空靜止電子能級(jí)E0。當(dāng)把金屬和半導(dǎo)體電連接成一個(gè)系統(tǒng)時(shí)，由于EFs＞EFm，所以半導(dǎo)體中的電子將流向金屬，使金屬表面帶負(fù)電荷，半導(dǎo)體表面帶等值的正電荷，系統(tǒng)保持電中性，導(dǎo)致金屬的電勢(shì)Vm降低，半導(dǎo)體內(nèi)的內(nèi)建電勢(shì)Vbi升高，其內(nèi)部的電子能級(jí)及表面的電子能級(jí)隨之發(fā)生相應(yīng)的變化，最后達(dá)到平衡狀態(tài)，金屬和半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)在同一水平上。金屬和半導(dǎo)體之間的電勢(shì)能變化完全補(bǔ)償了原來(lái)費(fèi)米能級(jí)的差異，半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)相對(duì)于金屬的費(fèi)米能級(jí)下降了(Wm-Ws)，如圖8-2[b]所示。隨著金屬與半導(dǎo)體之間距離d的減小，接觸面積增大，金屬表面負(fù)電荷密度增加，半導(dǎo)體表面的正電荷密度也隨之增加，在半導(dǎo)體表面形成的空間電荷區(qū)也增寬。由空間電荷區(qū)電場(chǎng)引起的能帶彎曲加大，半導(dǎo)體表面與內(nèi)部之間的電勢(shì)差也加大。金屬電勢(shì)與半導(dǎo)體電勢(shì)之差稱為接觸電勢(shì)差Vms，其一部分降落在空間電荷區(qū)(記為Vbi)，另一部分降落在金屬與半導(dǎo)體表面之間的間隙上(記為VG)。接觸電勢(shì)差Vms為

當(dāng)金屬與半導(dǎo)體接觸不是很緊密時(shí)，即間隙距離較大、接觸面積較小時(shí)，空間電荷區(qū)的電勢(shì)差很小，接觸電勢(shì)差Vms主要降落在金屬與半導(dǎo)體表面之間的間隙上。如圖8-2（c）所示，當(dāng)距離d減小到可以與原子間距相比較，全部面積緊密接觸時(shí)，電場(chǎng)增強(qiáng)，金屬的電勢(shì)Vm降低，半導(dǎo)體的電勢(shì)Vbi升高，其電勢(shì)能差距變得很小，Wm與Ws很接近。在極限情況下，間隙電勢(shì)差VG可以被忽略，電子就可自由穿過(guò)間隙。由式（8-6）可知，此時(shí)接觸電勢(shì)差Vms等于空間電荷區(qū)的電勢(shì)差Vbi，接觸勢(shì)壘高度為qVbi。這里的Vbi也稱表面勢(shì)。

圖8-2 金屬與n型半導(dǎo)體接觸所形成的肖特基勢(shì)壘

上面所討論的金屬與半導(dǎo)體之間的接觸通常稱為肖特基接觸，其接觸勢(shì)壘通常稱為肖特基勢(shì)壘。

壹芯微針對(duì)二三極管作出了良好的性能測(cè)試，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電源、LED照明、光伏、儀表儀器、數(shù)碼產(chǎn)品、各種小家電等領(lǐng)域。如果您需要咨詢報(bào)價(jià)或遇到需要幫助解決的問(wèn)題，可以在頁(yè)面右側(cè)點(diǎn)擊咨詢工程師或銷售經(jīng)理，為您提供精準(zhǔn)的產(chǎn)品報(bào)價(jià)和詳情介紹。

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