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MBR40200CT.數據表(PDF):查看下載

(40A肖特基勢壘整流器)

主要參數

最高反向峰值電壓(VRRM)：200Vpk

最大平均整流電流(IF)：40Aav

最大峰值浪涌電流(IFM(Surge))：400Apk

最大反向漏電流(IR@VRRM)：5.0UAds

正向壓降(VF@IF)：10Apk

正向壓降(VF@IF)：0.95Vpk

封裝(PAKAGE)：TO-220/TO-220F/TO-263/TO-247

MBR40200CT/CT(TO-220)引腳

肖特基結二極管

在理解了PN結二極管的工作原理之后，可以比較容易理解由金屬與摻雜半導體接觸形成的肖特基結二極管的工作原理。如圖2.5所示，金屬與半導體在交界處形成阻擋層，處于平衡態的阻擋層對外電路呈中性。以N型半導體為例，當在金屬端外加正電壓時，從半導體到金屬的電子數目超過從金屬到半導體的電子數，平衡被打破，形成一股從金屬到半導體的正向電流，該電流是由半導體中多數載流子構成的。加反向電壓時，從半導體到金屬的電子數目減少，金屬到半導體的電子流占優勢，形成從半導體到金屬的反向電流。由于從金屬到半導體的電子流是恒定的。當反向電壓提高，使半導體到金屬的電子流可以忽略不計時，反向電流將趨于飽和。可見，阻擋層具有類似于PN結的伏安特性。

圖2.5 金屬與半導體接觸

在基于GaAs和InP的MESFET和HEMT器件中，其金屬柵極與溝道材料之間形成的結就屬于肖特基結。因此，它們的等效電路中通常至少包含柵-源和柵-漏兩個肖特基結二極管。

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