〔壹芯〕生產MMBT3904,MMBT3906晶體管,參數達標,質量穩定

晶體管(TRANSISTORS)

型號：MMBT3904　　　　　　極性：NPN

IC(mA)：200　　　　　　　　BVCBO(V)：60

BVCEO(V)：40　HFE　MIN：100　MAX：300 

VCE(sat)　(V)：0.3　IC(mA)：50　IB(mA)：5

封裝：SOT-23 TO-92

型號：MMBT3906　　　　　　極性：PNP

IC(mA)：200　　　　　　　　BVCBO(V)：40

BVCEO(V)：40　HFE　MIN：100　MAX：300 

VCE(sat)　(V)：0.3　IC(mA)：50　IB(mA)：5

封裝：SOT-23 TO-92

知識科普

電力場效應晶體管的安全工作區

電力MOSFET沒有二次擊穿問題。具有非常寬的安全工作區(SOA)，特別是在高電壓范圍內，但是電力MOSFET的通態電阻R_on。比較大，所以在低壓部分不僅受最大電流的限制，還要受到自身功耗的限制。

(1）正向偏置安全工作區

電力MOSFET的正向偏置安全工作區(FBSOA)如圖[1.16]所示。

它是由四條邊界極限曲線所包圍的區域。這四條邊界極限曲線是：最大漏源極電壓線I、最大漏極電流線Ⅱ、漏-源極通態電阻線Ⅲ和最大功耗限制線Ⅳ。

最大功耗的限制曲線和GTR相同，是由器件的熱響應特性、最大允許結溫和最大熱阻抗共同決定的，對應不同的工作時間有不同的耐量，時間越短，耐量越大。

圖1.16示出了五種情況：直流DC、脈寬10ms、脈寬1ms、脈寬100us、脈寬10us。和GTR的安全工作區相比，有兩點明顯的不同：一是電力MOSFET無二次擊穿問題，故不存在二次擊穿功率Psa限制線；二是GTR飽和壓降很小，自身導通功耗低，所以最大電流限制線一直延伸到縱坐標處，而電力MOSFET的通態電阻較大，自身導通功耗也較大，所以在低壓側不僅受最大漏極電流的限制，而且受到通態電阻R_om的限制。

<壹芯微科技>專注二三極管領域研發制造，針對二三極管作出了良好的性能測試，產品廣泛應用于電源、LED照明、光伏、儀表儀器、數碼產品、各種小家電等領域。如果您遇到需要幫助解決的問題，可以點擊頁面右側咨詢工程師、或銷售經理為您提供精準的產品報價與介紹。