〔壹芯〕生產IRF14040場效應管180A-40V,參數達標,質量穩定

場效應管(MOSFETS)

型號：IRF1404　　　　　　　極性：N

IDA(A)：180　　　　　　　VDSS(V)：40

RDS(on)　MAX(Ω)：0.0037　VGS(V)：10 

VGS(th)　(V)：2~4

Gfs(min)　(S)：106　Vgs(V)：25　Io(A)：60

封裝：TO-220

知識科普

電力場效應晶體管極間電容與漏-源極電壓的關系C=f(uDS)

電力MOSFET的極間電容對開關過程有直接影響，其等效電路如圖1.14所示。

這些電容分為兩類：CGS、CGD是由MOS結構形成的，它們的大小取決于幾何形狀和絕緣層的厚度，其數值很穩定，幾乎不隨電壓和溫度變化；CDS則是由PN結形成的，其大小決定于溝道面積和有關結構的反偏寬度，它將會受到電壓和溫度變化的影響。

在應用中，常用輸入電容Cin、輸出電容Co及反饋電容Crss的概念，它們與電力MOSFET極間電容的關系可參見式(1.6)~式(1.8)。它們與MOSFET漏-源極間所加電壓uDS的大小密切相關。

當uDS<5V時，Crss<Cin<Co

當uDS>5V時，Crss<Co<Cin

這些電容與uDS的關系曲線如圖1.15所示。

開關時間與器件的極間電容和寄生電感有關，它們之間的關系都是非線性的，因此開關時間明顯地與驅動源參數和漏極負載情況有關。

測試條件不同，參數值也不同，因此要明確標出測試時的uDS、iD、驅動源內阻Z0、過驅動柵極電壓uGS的脈沖參數。

電力MOSFET的開關速度幾乎不隨溫度而變化，其動態損耗也不隨溫度變化，其開關速度的快慢僅與寄生電容的充放電時間相對應。

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