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        MOSFET二極管保護(hù)電路圖解

        返回列表來(lái)源:壹芯微 發(fā)布日期 2020-07-09 瀏覽:-

        MOSFET二極管保護(hù)電路圖解

        MOSFET在應(yīng)用時(shí)通常有如下圖所示的D1,D2二極管電路,很多人都有疑問(wèn):兩個(gè)二極管究竟起什么作用呢?

        MOSFET二極管保護(hù)電路

        1,D1為MOSFET內(nèi)部的寄生二極管,可以保護(hù)D、S極。當(dāng)D、S極產(chǎn)生瞬間反向大電流時(shí),可通過(guò)D1導(dǎo)出,如果沒(méi)有該二極管,就有可能擊穿MOSFET。由于MOSFET工作頻率較高,所以要求D1的工作頻率也要高(即反向恢復(fù)時(shí)間要短,相當(dāng)于一個(gè)快恢復(fù)二極管)。

        2,D2通常為外加的靜電保護(hù)二極管,用以保護(hù)G、S極。由于MOSFET是絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管,柵極無(wú)直流通路,輸入阻抗高,極易引起靜電荷聚集,從而產(chǎn)生較高的電壓將柵極和源極之間的絕緣層擊穿,D2可以把靜電嵌位于穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓值以下,有效保護(hù)G、S的絕緣層。但對(duì)于不同功率、不同型號(hào)的MOSFET其保護(hù)穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓值是不同的。另外,小、中功率MOSFET通常需要保護(hù)二極管,而大功率MOSFET由于輸入電容較大,接觸到靜電后有一個(gè)充電的過(guò)程,產(chǎn)生的電壓較小,引起擊穿的可能較小,所以通常不需要保護(hù)二極管。

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